| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 前言 | 第6-11页 |
| ·引言 | 第6页 |
| ·纳米材料的基本概念 | 第6-8页 |
| ·纳米材料的定义 | 第7页 |
| ·纳米材料的效应及性能 | 第7-8页 |
| ·纳米材料的制备方法 | 第8-10页 |
| ·气相法 | 第8-9页 |
| ·液相法 | 第9页 |
| ·固相法 | 第9-10页 |
| ·本文的选题意义及主要内容 | 第10-11页 |
| 第2章 材料制备、性能和结构表征技术 | 第11-22页 |
| ·主要实验设备及原料 | 第11-12页 |
| ·主要实验设备 | 第11页 |
| ·实验原料 | 第11-12页 |
| ·制备方法 | 第12-17页 |
| ·单晶硅片衬底清洗 | 第12页 |
| ·离子溅射镀膜 | 第12-13页 |
| ·物理气相沉积 | 第13页 |
| ·超薄晶硅薄膜的制备 | 第13-14页 |
| ·旋涂填充 | 第14-15页 |
| ·热蒸发填充 | 第15页 |
| ·真空感应化学气相沉积 | 第15-17页 |
| ·性能表征仪器及方法 | 第17-22页 |
| ·X射线衍射（XRD） | 第17-18页 |
| ·激光拉曼散射光谱 | 第18-19页 |
| ·半导体器件分析仪 | 第19页 |
| ·彩色 3D激光显微镜 | 第19-20页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第20页 |
| ·能量色散X射线光谱仪 | 第20-22页 |
| 第3章 硅基纳米CdS、ZnS/CdS异质结的制备及性能研究 | 第22-37页 |
| ·硅基CdS纳米结构的制备和性能表征 | 第22-34页 |
| ·CdS纳米结构的制备 | 第23页 |
| ·CdS纳米结构的形貌和相结构表征 | 第23-27页 |
| ·制备条件对纳米结构形貌和性能的影响 | 第27-34页 |
| ·硅基ZnS纳米带/CdS纳米棒异质结的制备和性能研究 | 第34-37页 |
| ·ZnS纳米带的制备 | 第35页 |
| ·ZnS纳米带/CdS纳米棒异质结结构的制备 | 第35-36页 |
| ·ZnS纳米带/CdS纳米棒异质结结构的相、形貌结构表征 | 第36-37页 |
| 第4章 硅微柱阵列、籽晶点阵及晶硅薄膜制备 | 第37-68页 |
| ·金属催化选择性湿法刻蚀制备硅微柱周期阵列 | 第37-42页 |
| ·金属催化定向刻蚀硅原理 | 第37-38页 |
| ·Au膜厚度的影响 | 第38-40页 |
| ·刻蚀液组成的影响 | 第40-42页 |
| ·ICP干法刻蚀制备硅微柱周期性阵列 | 第42-44页 |
| ·氧化层生长阻隔层制作 | 第44页 |
| ·光刻胶填充制备籽晶点阵 | 第44-55页 |
| ·直接旋涂填充光刻胶 | 第45-49页 |
| ·组装HMDS（六甲基二硅氮烷）分子增强光刻胶填充 | 第49-51页 |
| ·氧等离子体刻蚀去除硅棒顶部光刻胶 | 第51-52页 |
| ·选择性刻蚀硅柱顶端SiO_2层 | 第52-55页 |
| ·金属膜、光刻胶双填充制备籽晶点阵 | 第55-60页 |
| ·蒸镀填充铝 | 第55-56页 |
| ·湿法刻蚀去除硅柱顶部覆盖铝 | 第56-57页 |
| ·PMMA（聚甲基丙烯酸甲酯）填充刻蚀坑 | 第57页 |
| ·BOE选择性刻蚀去除硅柱顶部SiO_2层制备籽晶点阵 | 第57-60页 |
| ·熔体填充制备籽晶点阵 | 第60-63页 |
| ·晶硅薄膜外延及剥离转移 | 第63-68页 |
| ·籽晶选择性外延生长制备连续硅膜 | 第63-67页 |
| ·硅膜的完整剥离转移 | 第67-68页 |
| 第5章 结论与展望 | 第68-71页 |
| ·结论 | 第68-69页 |
| ·突破的关键技术和形成的创新点 | 第69页 |
| ·展望 | 第69-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-76页 |
| 附录 | 第76-77页 |
