| 摘要 | 第1-9页 |
| Abstract | 第9-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-23页 |
| ·氧化锌（ZnO）的基本物理性质 | 第11-13页 |
| ·ZnO 纳米线的主要制备方法 | 第13-17页 |
| ·水热合成法 | 第13-14页 |
| ·溶胶凝胶法 | 第14页 |
| ·电化学沉积法 | 第14页 |
| ·化学气相沉积法 | 第14-15页 |
| ·脉冲激光沉积法 | 第15-16页 |
| ·激光烧蚀化学气相沉积法 | 第16-17页 |
| ·ZnO 的本征缺陷与掺杂 | 第17-21页 |
| ·ZnO 的本征缺陷 | 第17-18页 |
| ·ZnO 非故意掺杂(H) | 第18页 |
| ·ZnO 的 p 型掺杂与研究进展 | 第18-21页 |
| ·本论文研究问题的提出和主要内容 | 第21-23页 |
| 第二章 实验部分 | 第23-31页 |
| ·实验原料与仪器设备 | 第23-25页 |
| ·材料制备 | 第25-27页 |
| ·激光烧蚀化学气相沉积（LACVD）系统 | 第25-26页 |
| ·脉冲激光沉积（PLD）系统 | 第26-27页 |
| ·ZnO, ZnO:Na 和 ZnO:P 纳米线材料的制备 | 第27页 |
| ·ZnO:Na(ZnO:P)/ZnO:Al 同质结的制备 | 第27页 |
| ·表征方法 | 第27-31页 |
| ·场发射扫描电子显微镜（FESEM） | 第27-28页 |
| ·高分辨透射电子显微镜（HRTEM） | 第28页 |
| ·X 射线衍射（XRD） | 第28-29页 |
| ·X 射线光电子能谱（XPS） | 第29页 |
| ·拉曼光散射谱（Raman） | 第29-30页 |
| ·光致发光谱（PL） | 第30-31页 |
| 第三章 钠掺杂氧化锌纳米线的 LACVD 生长调控与优化 | 第31-47页 |
| ·引言 | 第31-32页 |
| ·实验 | 第32-34页 |
| ·靶材制备和衬底清洗 | 第32-33页 |
| ·ZnO 和 ZnO:Na 纳米线的制备 | 第33-34页 |
| ·材料表征 | 第34页 |
| ·结果与讨论 | 第34-46页 |
| ·衬底温度、催化层厚度和生长压强对 ZnO 纳米线形貌的影响 | 第34-38页 |
| ·ZnO:Na 纳米线的物相、元素成分分析 | 第38-44页 |
| ·拉曼光谱分析 | 第44-45页 |
| ·ZnO 纳米线的生长机理 | 第45-46页 |
| ·结论 | 第46-47页 |
| 第四章 ZnO:Na 纳米线的受主光谱指纹特征及同质 PN 结二极管 | 第47-57页 |
| ·引言 | 第47页 |
| ·实验 | 第47-49页 |
| ·PL 光谱测量 | 第47-48页 |
| ·ZnO:Na 纳米线/ZnO 薄膜同质 PN 结的制备及电学性质测量 | 第48-49页 |
| ·结果与讨论 | 第49-55页 |
| ·光致发光光谱分析 | 第49-54页 |
| ·室温光致发光谱 | 第49页 |
| ·低温光致发光谱 | 第49-52页 |
| ·变温光致发光谱 | 第52-54页 |
| ·同质结的 I-V 特性分析 | 第54-55页 |
| ·结论 | 第55-57页 |
| 第五章 磷掺杂氧化锌纳米线的制备及光电物性研究 | 第57-71页 |
| ·引言 | 第57页 |
| ·实验 | 第57-59页 |
| ·靶材制备和衬底清洗 | 第57-58页 |
| ·ZnO:P 纳米线的制备 | 第58页 |
| ·ZnO:P 纳米线/ZnO 薄膜同质 PN 结的制备 | 第58-59页 |
| ·材料的表征 | 第59页 |
| ·结果与讨论 | 第59-69页 |
| ·ZnO:P 纳米线的结构表征 | 第59-65页 |
| ·光致发光光谱分析 | 第65-68页 |
| ·室温光致发光谱 | 第65-66页 |
| ·变温光致发光谱 | 第66-68页 |
| ·同质结的 I-V 特性分析 | 第68-69页 |
| ·结论 | 第69-71页 |
| 第六章 结论 | 第71-73页 |
| ·结论 | 第71-72页 |
| ·展望 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-83页 |
| 致谢 | 第83-85页 |
| 附录 | 第85页 |
