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CdTe纳米晶的微结构及表面光电特性研究

摘要第1-5页
Abstract第5-9页
第1章 绪论第9-29页
   ·量子点的概述第9-15页
     ·量子点的基本概念第9-10页
     ·量子点的基本性质第10-13页
     ·量子点的表面修饰第13-15页
     ·选择性沉淀及选择性光刻蚀第15页
   ·半导体纳米晶的制备技术第15-20页
     ·有机金属法第16-18页
     ·水相合成法第18-20页
   ·量子点的应用第20-22页
     ·在生物学上的应用第20页
     ·在分析化学上的应用第20-21页
     ·在光电子与微电子领域的应用第21-22页
   ·计算机模拟在纳米材料科学中的应用第22-27页
     ·计算机模拟技术的优势第23页
     ·材料模拟方法与模拟层次第23-24页
     ·材料研究的模拟技术第24页
     ·CASTEP 理论基础与算法第24-27页
   ·选题意义及研究内容第27-29页
第2章 实验设备与原理第29-39页
   ·多功能作用光谱仪简介第29-31页
     ·多功能作用光谱仪系统组成第30-31页
     ·表面光电压的测量第31页
   ·表面光电压理论第31-38页
     ·表面光伏效应原理第32-36页
     ·场效应原理第36-38页
   ·紫外吸收光谱的测定第38页
   ·红外光谱的测定第38-39页
第3章 配体修饰CdTe 纳米晶微结构及光电特性第39-55页
   ·实验部分第40-42页
     ·实验试剂与仪器第40-41页
     ·样品的制备第41-42页
   ·正交试验结果分析第42-43页
   ·CdTe 样品的结构表征第43-48页
     ·X 射线衍射(XRD)分析第44-45页
     ·透射电镜和高分辨(TEM&HRTEM)第45-46页
     ·红外光谱分析第46-47页
     ·EDS 能谱分析第47-48页
   ·CdTe 纳米晶体的光谱特性的表征第48-54页
     ·CdTe 纳米晶紫外吸收和荧光光谱分析第48-50页
     ·表面光电压谱分析第50-54页
   ·本章小节第54-55页
第4章 掺硫CdTe 晶体结构与性能模拟第55-69页
   ·晶体体内结构模拟计算第55-60页
     ·模型的建立第55-56页
     ·参数选择与计算第56-57页
     ·硫掺杂CdTe 晶体的能带结构和偏态密度分析第57-59页
     ·硫掺杂CdTe 晶体的吸收谱分析第59-60页
   ·晶体表面结构模拟计算第60-65页
     ·模型的建立第60-61页
     ·参数选择与计算第61-62页
     ·CdTe (111)面的硫掺杂能带结构和偏态密度模拟第62-64页
     ·CdTe (111)面的硫掺杂吸收谱分析第64-65页
   ·体内声子谱分析第65-68页
   ·本章小结第68-69页
结论第69-70页
参考文献第70-76页
攻读硕士学位期间承担的科研任务与主要成果第76-77页
致谢第77-78页
作者简介第78页

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