| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-11页 |
| 1 绪论 | 第11-26页 |
| ·二氧化铈的性质及应用 | 第11-14页 |
| ·二氧化铈的性质 | 第11-13页 |
| ·二氧化铈材料的应用 | 第13-14页 |
| ·外延生长CeO_2薄膜的研究现状 | 第14-16页 |
| ·阻变存储器概述 | 第16-20页 |
| ·阻变随机存储器(RRAM) | 第17-18页 |
| ·金属氧化物RRAM器件物理机制 | 第18-20页 |
| ·基于CeO_2薄膜阻变存储器件研究现状 | 第20-24页 |
| ·论文研究的内容及意义 | 第24-26页 |
| ·研究内容 | 第24-25页 |
| ·研究意义 | 第25-26页 |
| 2 薄膜的制备方法与表征技术 | 第26-38页 |
| ·薄膜的制备方法 | 第26-31页 |
| ·常用的薄膜制备方法 | 第26页 |
| ·激光分子束外延技术 | 第26-29页 |
| ·磁控溅射制备技术 | 第29-31页 |
| ·快速热退火技术 | 第31页 |
| ·光刻技术 | 第31-32页 |
| ·表征测试方法 | 第32-38页 |
| ·X射线衍射分析 | 第32-33页 |
| ·反射式高能电子衍射 | 第33-35页 |
| ·X射线光电子能谱分析 | 第35-36页 |
| ·透射电子显微镜 | 第36-37页 |
| ·电流-电压特性 | 第37-38页 |
| 3 CeO_2在SrTiO_3(100)上的外延生长 | 第38-51页 |
| ·引言 | 第38页 |
| ·样品制备 | 第38-39页 |
| ·靶材制备与衬底清洗 | 第38-39页 |
| ·薄膜的生长 | 第39页 |
| ·生长工艺参数对CeO_2薄膜结构的影响 | 第39-41页 |
| ·生长温度的影响 | 第39-40页 |
| ·脉冲激光能量的影响 | 第40-41页 |
| ·外延薄膜取向结构及化学成分分析 | 第41-46页 |
| ·XRD分析 | 第41-43页 |
| ·高分辨率电子显微镜(HRTEM)分析 | 第43-44页 |
| ·CeO_2薄膜成分分析(XPS) | 第44-46页 |
| ·快速退火(RTA)对外延薄膜取向结构及化学成分的影响 | 第46-50页 |
| ·退火样品制备 | 第46页 |
| ·快速退火对薄膜取向的影响 | 第46-47页 |
| ·快速退火对薄膜微观结构的影响 | 第47-48页 |
| ·退火对薄膜中化学成分的影响 | 第48-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 4 CeO_2在YSZ(100)上的外延生长 | 第51-56页 |
| ·引言 | 第51页 |
| ·样品制备 | 第51页 |
| ·靶材制备与衬底清洗 | 第51页 |
| ·薄膜的生长 | 第51页 |
| ·生长工艺参数对CeO_2薄膜结构的影响 | 第51-54页 |
| ·生长温度的影响 | 第51-53页 |
| ·激光烧蚀能量对薄膜晶体结构的影响 | 第53-54页 |
| ·外延薄膜取向结构分析 | 第54-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 5 Au/epi-CeO_2/NSTO器件的阻变存储性能研究 | 第56-65页 |
| ·引言 | 第56页 |
| ·器件的制备工艺 | 第56-58页 |
| ·器件制备流程 | 第56-57页 |
| ·NSTO衬底上外延薄膜结构分析 | 第57-58页 |
| ·Au/epi-CeO_2/NSTO薄膜器件的性能与机制分析 | 第58-64页 |
| ·电学性能 | 第58-61页 |
| ·机制分析 | 第61-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 6 Dy_2O_3掺杂CeO_2薄膜阻变性能研究 | 第65-70页 |
| ·引言 | 第65页 |
| ·器件制备 | 第65-66页 |
| ·Ag/CeO_2/Pt及Ag/Dy_2O_3-doped CeO_2/Pt器件的阻变存储性能 | 第66-69页 |
| ·本章小结 | 第69-70页 |
| 结论 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-82页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第82-83页 |
| 致谢 | 第83页 |
