作者简介 | 第1-8页 |
摘要 | 第8-10页 |
ABSTRACT | 第10-16页 |
第一章 绪论 | 第16-40页 |
§1.1 引言 | 第16页 |
§1.2 配位聚合物的特点及分类 | 第16-17页 |
·配位聚合物的特点 | 第16-17页 |
·配位聚合物的分类 | 第17页 |
§1.3 芳香羧酸配体和杂环羧酸配体构筑的配位聚合物研究进展 | 第17-29页 |
·芳香羧酸配体构筑的配位聚合物 | 第17-27页 |
·杂环羧酸配体构筑的配位聚合物 | 第27-29页 |
§1.4 配位聚合物的应用 | 第29-32页 |
·气体储存 | 第30页 |
·气体的吸附分离 | 第30页 |
·光、电、磁性质的应用 | 第30-32页 |
·其他方面的应用 | 第32页 |
§1.5 提高配位聚合物吸附性能的方法 | 第32-34页 |
·调节比表面积、孔洞体积及孔径大小 | 第32-33页 |
·引入不饱和金属配位点 | 第33页 |
·引入其他不饱和金属离子或轻金属离子 | 第33-34页 |
·引入有机功能基团 | 第34页 |
§1.6 单离子聚合物电解质 | 第34-38页 |
·聚合物电解质简介 | 第35页 |
·聚合物电解质的分类 | 第35-36页 |
·单离子聚合物电解质 | 第36-38页 |
§1.7 本论文的选题意义和研究内容 | 第38-40页 |
·本论文的选题意义 | 第38页 |
·本论文的研究内容 | 第38-40页 |
第二章 研究方法 | 第40-45页 |
§2.1 实验设计思路 | 第40-41页 |
§2.2 实验主要试剂 | 第41-42页 |
§2.3 实验方法 | 第42-45页 |
·物理机械性能及形态表征 | 第42-43页 |
·气体吸附实验 | 第43页 |
·电解质膜的制备 | 第43页 |
·电化学性能表征 | 第43-45页 |
第三章 基于芳香多羧酸配体构筑的以Al为节点的配位聚合物(Ⅰ) | 第45-66页 |
§3.1 引言 | 第45页 |
§3.2 化合物的合成与表征 | 第45-63页 |
·四甲氧基铝钠的合成 | 第46-47页 |
·芳香羧酸配体的硅甲基化产物的合成 | 第47-50页 |
·化合物1-4的合成 | 第50-54页 |
·化合物1-4的物化性质分析 | 第54-63页 |
§3.3 吸附性能研究 | 第63-65页 |
§3.4 本章小结 | 第65-66页 |
第四章 基于芳香多羧酸配体构筑的以Al为节点的配位聚合物(Ⅱ) | 第66-89页 |
§4.1 引言 | 第66页 |
§4.2 化合物的合成与表征 | 第66-80页 |
·四甲氧基铝锂的合成 | 第66-67页 |
·化合物5-8的合成 | 第67-71页 |
·化合物5-8的物化性质分析 | 第71-80页 |
§4.3 吸附性能研究 | 第80-82页 |
§4.4 电化学性能分析 | 第82-87页 |
·单离子聚合物电解质离子电导率 | 第82-85页 |
·单离子聚合物电解质稳定性研究 | 第85-87页 |
·单离子聚合物电解质的离子迁移数测试 | 第87页 |
§4.5 本章小结 | 第87-89页 |
第五章 基于杂环多羧酸配体构筑的以Al为节点的配位聚合物 | 第89-112页 |
§5.1 引言 | 第89页 |
§5.2 化合物的合成与表征 | 第89-105页 |
·杂环羧酸配体的硅甲基化产物的合成 | 第89-92页 |
·化合物9-12的合成 | 第92-96页 |
·化合物9-12的物化性质分析 | 第96-105页 |
§5.3 吸附性能研究 | 第105-106页 |
§5.4 电化学性能研究 | 第106-111页 |
·单离子聚合物电解质离子电导率 | 第106-109页 |
·单离子聚合物电解质稳定性研究 | 第109-110页 |
·单离子聚合物电解质的离子迁移数测试 | 第110-111页 |
§5.5 本章小结 | 第111-112页 |
第六章 基于杂环多羧酸配体构筑的以B为节点的配位聚合物 | 第112-130页 |
§6.1 引言 | 第112页 |
§6.2 化合物的合成与表征 | 第112-124页 |
·四甲氧基硼锂的合成 | 第113-114页 |
·化合物13-16的合成 | 第114-118页 |
·化合物13-16的物化性质分析 | 第118-124页 |
§6.3 电化学性能研究 | 第124-129页 |
·单离子聚合物电解质离子电导率 | 第124-127页 |
·单离子聚合物电解质稳定性研究 | 第127-128页 |
·单离子聚合物电解质离子迁移数研究 | 第128-129页 |
§6.4 本章小结 | 第129-130页 |
第七章 总结 | 第130-132页 |
致谢 | 第132-133页 |
参考文献 | 第133-141页 |