| 中文摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 1. 绪论 | 第9-21页 |
| ·透明导电薄膜的分类及简介 | 第9-12页 |
| ·氧化锌基透明导电氧化物薄膜 | 第10-11页 |
| ·氧化锡基透明导电氧化物薄膜 | 第11页 |
| ·氧化隔基透明导电氧化物薄膜 | 第11-12页 |
| ·薄膜的生长 | 第12-14页 |
| ·薄膜生长过程概述 | 第12页 |
| ·晶核的形成与生长 | 第12-13页 |
| ·薄膜形成的三种模式 | 第13-14页 |
| ·透明导电氧化物薄膜的制备方法及原理 | 第14-18页 |
| ·脉冲激光沉积(PLD) | 第14-15页 |
| ·真空蒸镀法(VED) | 第15-16页 |
| ·分子束外延法(Molecular Beam Epitaxy MBE) | 第16-17页 |
| ·化学气相沉积(CVD) | 第17页 |
| ·溶胶-凝胶法(sol-gel) | 第17-18页 |
| ·溅射镀膜 | 第18-21页 |
| ·磁控溅射的原理及特点 | 第18-19页 |
| ·平衡磁场与非平衡磁场 | 第19-21页 |
| 2. 样品的制备及表征 | 第21-29页 |
| ·样品的制备 | 第21-22页 |
| ·实验材料 | 第21页 |
| ·实验设备 | 第21-22页 |
| ·样品制备 | 第22页 |
| ·样品的表征方法简介 | 第22-29页 |
| ·薄膜的厚度测试-台阶仪 | 第22-23页 |
| ·薄膜的结构表征 | 第23-24页 |
| ·X 射线衍射(XRD) | 第23页 |
| ·透射电子显微镜(TEM) | 第23-24页 |
| ·薄膜的表面形貌测试-原子力显微镜(AFM) | 第24-25页 |
| ·薄膜的成分测试-俄歇电子能谱仪(AES) | 第25页 |
| ·薄膜的光学性能测试-紫外线-可见光光度计(UV-VIS) | 第25-26页 |
| ·薄膜的电学性能测试 | 第26-29页 |
| ·霍尔效应测试仪 | 第26-27页 |
| ·四探针测量薄膜电阻率 | 第27-29页 |
| 3. ZnO:Al(AZO)薄膜正交实验工艺参数的优化 | 第29-47页 |
| ·AZO 的正交实验 | 第29-30页 |
| ·工艺参数对 AZO 薄膜厚度的影响 | 第30页 |
| ·AZO 薄膜的结构分析 | 第30-37页 |
| ·AZO 薄膜 AFM 表面形貌分析 | 第30-34页 |
| ·AZO 薄膜 TEM 分析 | 第34-35页 |
| ·AZO 薄膜的 XRD 分析 | 第35-37页 |
| ·AZO 薄膜的光学分析 | 第37-43页 |
| ·AZO 薄膜的电学分析 | 第43-45页 |
| ·AZO 薄膜的正交实验极差分析 | 第45-47页 |
| 4. 柔性基体上多元金属氧化物透明导电薄膜的性能研究 | 第47-53页 |
| ·柔性基体上制备多元金属氧化物透明导电薄膜 | 第47页 |
| ·结果与分析 | 第47-53页 |
| ·薄膜成分分析 | 第47-49页 |
| ·薄膜的形貌与结构分析 | 第49-51页 |
| ·Sn_xZn_yCd_(1-x-y)O 薄膜 AFM 表面形貌分析 | 第49页 |
| ·Sn_xZn_yCd_(1-x-y)O 薄膜 TEM、XRD 分析 | 第49-51页 |
| ·Sn_xZn_yCd_(1-x-y)O 薄膜光学性能分析 | 第51-52页 |
| ·Sn_xZn_yCd_(1-x-y)O 薄膜电学性能分析 | 第52-53页 |
| 5. 结论与展望 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 作者简介 | 第60-61页 |
