| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-19页 |
| ·含锑化合物半导体 | 第8-9页 |
| ·含锑化合物半导体的应用 | 第9-17页 |
| ·论文的研究目的和内容构成 | 第17-19页 |
| 第二章 材料生长及表征技术 | 第19-30页 |
| ·含锑化合物半导体材料的分子束外延生长 | 第19-22页 |
| ·含锑化合物半导体材料的表征 | 第22-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 量子实空间转移的结构设计优化及实验研究 | 第30-55页 |
| ·量子实空间转移理论 | 第30-33页 |
| ·薛定谔方程的数值求解 | 第33-37页 |
| ·QRST 结构设计及其优化 | 第37-46页 |
| ·QRST 结构的材料生长研究 | 第46-53页 |
| ·本章小结 | 第53-55页 |
| 第四章 InGaAs/GaAsSb II 类超晶格探测器理论与实验 | 第55-76页 |
| ·InGaAs/GaAsSb II 类超晶格探测器的基本原理 | 第55-58页 |
| ·InGaAs/GaAsSb II 类超晶格的理论计算 | 第58-66页 |
| ·InGaAs/GaAsSb II 超晶格材料生长 | 第66-69页 |
| ·InGaAs/GaAsSb II 超晶格探测器器件制备 | 第69-72页 |
| ·InGaAs/GaAsSb II 类超晶格探测器单元器件测试 | 第72-74页 |
| ·本章小结 | 第74-76页 |
| 第五章 总结与展望 | 第76-78页 |
| ·总结 | 第76-77页 |
| ·展望 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-83页 |
| 在学期间发表的学术论文及科研成果清单 | 第83-84页 |
| 致谢 | 第84页 |
