| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| CONTENTS | 第9-11页 |
| 图表目录 | 第11-14页 |
| 1 绪论 | 第14-39页 |
| ·引言 | 第14-17页 |
| ·表面光伏的基本理论 | 第17-32页 |
| ·基本概念 | 第18-21页 |
| ·不同的表面光伏产生机制 | 第21-32页 |
| ·表面光伏的研究进展 | 第32-37页 |
| ·禁带宽度、导电类型及缺陷态能级 | 第32-34页 |
| ·少子扩散长度 | 第34-35页 |
| ·表面能带弯曲 | 第35-36页 |
| ·半导体中光生电荷的特性 | 第36-37页 |
| ·本论文的主要工作 | 第37-39页 |
| 2 表面光伏测试系统的建立 | 第39-53页 |
| ·基于Kelvin探针的表面光伏谱 | 第39-45页 |
| ·测试原理 | 第40-43页 |
| ·测试系统的组织结构 | 第43-45页 |
| ·调制光伏谱和瞬态光伏谱 | 第45-52页 |
| ·测试原理 | 第45-46页 |
| ·等效电路 | 第46-48页 |
| ·测试系统的组织结构 | 第48-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 3 P3HT/n-Si异质结光电行为研究 | 第53-73页 |
| ·实验部分 | 第54-55页 |
| ·材料和试剂 | 第54-55页 |
| ·样品的制备 | 第55页 |
| ·表征方法 | 第55页 |
| ·结果与讨论 | 第55-70页 |
| ·P3HT薄膜层的表征 | 第55-57页 |
| ·P3HT/n-Si的表面光伏谱研究 | 第57-62页 |
| ·空气对异质结光伏响应的影响 | 第62-64页 |
| ·P3HT/n-Si异质结的瞬态光伏谱 | 第64-70页 |
| ·P3HT/n-Si异质结中光生电荷的动力学过程总结 | 第70-71页 |
| ·本章小结 | 第71-73页 |
| 4 黑硅太阳能电池表面钝化的研究 | 第73-85页 |
| ·实验部分 | 第73-75页 |
| ·黑硅的制备 | 第73-74页 |
| ·电池的制备 | 第74-75页 |
| ·结果与讨论 | 第75-84页 |
| ·黑硅的表征 | 第75-76页 |
| ·黑硅太阳能电池的电学特性 | 第76-78页 |
| ·黑硅太阳能电池的调制光伏谱 | 第78-80页 |
| ·黑硅太阳能电池的瞬态光伏谱 | 第80-84页 |
| ·本章小结 | 第84-85页 |
| 5 P3HT：PCBM有机体异质结光电行为研究 | 第85-95页 |
| ·实验部分 | 第85-87页 |
| ·结果与讨论 | 第87-94页 |
| ·P3HT：PCBM混合比例对表面光伏的影响 | 第87-89页 |
| ·退火温度对P3HT：PCBM体异质结表面光伏的影响 | 第89-91页 |
| ·测试温度对P3HT：PCBM体异质结表面光伏的影响 | 第91-92页 |
| ·光调制频率对P3HT：PCBM体异质结表面光伏的影响 | 第92页 |
| ·P3HT：PCBM体异质结的瞬态光伏谱 | 第92-94页 |
| ·本章小结 | 第94-95页 |
| 6 结论与展望 | 第95-97页 |
| 参考文献 | 第97-110页 |
| 攻读博士学位期间科研项目及科研成果 | 第110-111页 |
| 致谢 | 第111-112页 |
| 作者简介 | 第112-113页 |
