| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 1 绪论 | 第10-15页 |
| ·研究背景及意义 | 第10-12页 |
| ·国内外研究状况 | 第12-14页 |
| ·论文的组织与结构 | 第14-15页 |
| 2 AlGaN-MOCVD 生长系统与材料表征方法 | 第15-28页 |
| ·AlGaN-MOCVD 系统 | 第15-18页 |
| ·MOCVD 外延生长原理介绍 | 第18-19页 |
| ·日盲探测器 MOCVD 生长工艺 | 第19-21页 |
| ·AlGaN 测试设备与表征方法 | 第21-27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 3 高 Al 组分 AlGaN 的生长及 n 型掺杂研究 | 第28-44页 |
| ·AlN 缓冲层的生长 | 第28-31页 |
| ·低 Al 组分0.3~0.4AlGaN 的 n 型掺杂 | 第31-39页 |
| ·高 Al 组分0.4~0.65AlGaN 的 n 型掺杂 | 第39-42页 |
| ·本章小结 | 第42-44页 |
| 4 窗口层对 n-AlGaN 的影响研究 | 第44-53页 |
| ·窗口层对 n-Al0.4Ga0.6N 的晶体质量的影响 | 第44-51页 |
| ·窗口层对 n-Al0.4Ga0.6N 的电学特性的影响 | 第51-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 5 AlGaN 基 p-i-n 型日盲紫外探测器全结构材料生长 | 第53-62页 |
| ·p 型 GaN 材料的 MOCVD 生长及其优化 | 第53-58页 |
| ·日盲紫外探测器全结构的生长与测试 | 第58-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 6 总结与展望 | 第62-64页 |
| ·本实验工作总结 | 第62-63页 |
| ·实验展望 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-72页 |
| 附录 1 攻读学位期间发表论文目录 | 第72页 |
