| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-20页 |
| §1.1 引言 | 第8页 |
| §1.2 GaN的发展历史 | 第8-10页 |
| §1.3 GaN的性质 | 第10-12页 |
| §1.4 同质外延GaN器件 | 第12-13页 |
| §1.5 AlGaN/GaN异质结构 | 第13-16页 |
| §1.6 本章小结 | 第16-17页 |
| 参考文献 | 第17-20页 |
| 第二章 同质外延GaN肖特基二极管器件研究 | 第20-34页 |
| §2.1 研究背景 | 第20-22页 |
| §2.2 器件制备与表征 | 第22-25页 |
| §2.3 实验结果与分析 | 第25-31页 |
| §2.4 本章小结 | 第31-32页 |
| 参考文献 | 第32-34页 |
| 第三章 基于AlGaN/GaN异质结的二极管击穿研究 | 第34-46页 |
| §3.1 研究背景 | 第34页 |
| §3.2 器件制备与表征 | 第34-37页 |
| ·器件制备工艺 | 第34-37页 |
| ·器件表征 | 第37页 |
| §3.3 实验结果与分析 | 第37-43页 |
| §3.4 本章小结 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-46页 |
| 第四章 论文结论与展望 | 第46-48页 |
| §4.1 论文结论 | 第46-47页 |
| §4.2 论文展望 | 第47-48页 |
| 发表论文目录 | 第48-49页 |
| 致谢 | 第49-50页 |