半胱氨酸自组装膜诱导控制氨基酸晶体的生长
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-28页 |
| ·晶体生长 | 第11-17页 |
| ·晶体成核理论 | 第11-12页 |
| ·晶体生长模型 | 第12-13页 |
| ·层生长理论模型 | 第12-13页 |
| ·螺旋位错生长理论模型 | 第13页 |
| ·其他晶体生长模型简介 | 第13页 |
| ·晶体生长取向与晶面发育 | 第13-15页 |
| ·布拉维法则 | 第14页 |
| ·居里-吴里弗原理 | 第14-15页 |
| ·PBC 理论 | 第15页 |
| ·晶体形貌与晶型 | 第15-17页 |
| ·温度 | 第15-16页 |
| ·结晶速度 | 第16页 |
| ·添加剂 | 第16-17页 |
| ·自组装膜概述 | 第17-26页 |
| ·自组装技术的发展 | 第21-22页 |
| ·半胱氨酸-Au 自组装膜 | 第22-23页 |
| ·氨基酸晶体及其在自组装膜上的生长 | 第23-26页 |
| ·赖氨酸盐酸盐 | 第24-25页 |
| ·谷氨酸 | 第25-26页 |
| ·本论文的研究背景、研究内容和创新性 | 第26-28页 |
| ·本论文的研究背景和意义 | 第26页 |
| ·本论文研究的主要内容 | 第26-27页 |
| ·本论文的创新与特色 | 第27-28页 |
| 第二章 晶体生长取向的控制 | 第28-39页 |
| ·引言 | 第28页 |
| ·实验部分 | 第28-30页 |
| ·仪器及试剂 | 第28-29页 |
| ·半胱氨酸自组装膜的制备 | 第29页 |
| ·实验步骤 | 第29-30页 |
| ·降温法 | 第29页 |
| ·乙醇挥发法 | 第29页 |
| ·测量条件及方法 | 第29-30页 |
| ·结果与讨论 | 第30-38页 |
| ·半胱氨酸自组装膜的制备 | 第30页 |
| ·赖氨酸盐酸盐在半胱氨酸自组装膜上的生长 | 第30-33页 |
| ·降温速率对赖氨酸盐酸盐晶体生长取向的影响 | 第33-35页 |
| ·乙醇挥发法对赖氨酸盐酸盐晶体生长取向的影响 | 第35-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 第三章 晶体形貌的控制 | 第39-45页 |
| ·引言 | 第39页 |
| ·实验部分 | 第39-40页 |
| ·仪器及试剂 | 第39-40页 |
| ·实验步骤 | 第40页 |
| ·半胱氨酸自组装膜的制备 | 第40页 |
| ·溶剂体系 | 第40页 |
| ·结果与讨论 | 第40-44页 |
| ·赖氨酸盐酸盐在半胱氨酸自组装膜上的生长 | 第40页 |
| ·赖氨酸盐酸盐-硼酸体系的结晶 | 第40-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 晶体晶型的控制 | 第45-57页 |
| ·引言 | 第45页 |
| ·实验部分 | 第45-47页 |
| ·仪器及试剂 | 第45-46页 |
| ·实验步骤 | 第46-47页 |
| ·半胱氨酸自组装膜的制备 | 第46页 |
| ·L-谷氨酸溶液的配置 | 第46页 |
| ·不同的过饱和方式 | 第46-47页 |
| ·测量条件及方法 | 第47页 |
| ·结果与讨论 | 第47-56页 |
| ·谷氨酸在自组装膜上的生长 | 第47页 |
| ·不同过饱和方式对晶体晶型的影响 | 第47-56页 |
| ·五氧化二磷干燥剂法 | 第47-49页 |
| ·减压蒸发法 | 第49-51页 |
| ·乙醇挥发法 | 第51-52页 |
| ·二甲基甲酰胺滴加法 | 第52-54页 |
| ·降温法 | 第54-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 结论与展望 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-67页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 附件 | 第69页 |
