基于0.13μm SiGe工艺的功率单元及功率放大器的设计
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 插图索引 | 第10-12页 |
| 附表索引 | 第12-13页 |
| 第1章 绪论 | 第13-17页 |
| ·课题研究背景及意义 | 第13-14页 |
| ·国内外研究现状 | 第14-15页 |
| ·本课题来源及主要研究内容 | 第15-16页 |
| ·本文组织结构 | 第16-17页 |
| 第2章 功率放大器原理及参数 | 第17-32页 |
| ·功率放大器的分类 | 第17-21页 |
| ·A 类功率放大器 | 第17-18页 |
| ·B 类功率放大器 | 第18页 |
| ·C 类功率放大器 | 第18-19页 |
| ·AB 类功率放大器 | 第19页 |
| ·D 类功率放大器 | 第19-20页 |
| ·E 类功率放大器 | 第20页 |
| ·F 类功率放大器 | 第20-21页 |
| ·小结 | 第21页 |
| ·功率放大器的基本参数 | 第21-25页 |
| ·输出功率(Pout) | 第21页 |
| ·功率增益（Power Gain） | 第21-22页 |
| ·效率(Efficiency) | 第22页 |
| ·线性度(Linearity) | 第22-25页 |
| ·阻抗匹配理论 | 第25-29页 |
| ·史密斯（Smith）圆图 | 第25-26页 |
| ·阻抗匹配形式 | 第26-28页 |
| ·共轭匹配与负载线匹配 | 第28-29页 |
| ·SiGe HBT 工艺 | 第29-31页 |
| ·SiGe HBT 的发展史 | 第29页 |
| ·SiGe 能带理论 | 第29-30页 |
| ·SiGe HBT 的应用 | 第30-31页 |
| ·本章总结 | 第31-32页 |
| 第3章 功率单元的设计 | 第32-40页 |
| ·SiGe HBT 功率管尺寸选择 | 第32-33页 |
| ·SiGe HBT 功率管并联数目优化 | 第33-34页 |
| ·SiGe HBT 功率管的热设计 | 第34-37页 |
| ·电流增益坍塌产生机理 | 第35页 |
| ·缓解电流增益坍塌的措施 | 第35-36页 |
| ·基极镇流电阻对功率管性能的影响 | 第36-37页 |
| ·SiGe HBT 功率管版图的设计 | 第37-38页 |
| ·SiGe HBT 单管版图设计 | 第37-38页 |
| ·SiGe HBT 功率单元版图设计 | 第38页 |
| ·本章总结 | 第38-40页 |
| 第4章 SiGe HBT 功率放大器的设计 | 第40-53页 |
| ·功率放大器的设计指标 | 第40页 |
| ·功率放大器主电路结构 | 第40-41页 |
| ·偏置电路的设计 | 第41-43页 |
| ·传统电阻偏置网络 | 第41-42页 |
| ·自适应线性化偏置网络 | 第42-43页 |
| ·两种偏置电路对比 | 第43页 |
| ·阻抗匹配电路的设计 | 第43-44页 |
| ·ESD 保护电路的设计 | 第44-46页 |
| ·整体电路前仿真结果 | 第46-48页 |
| ·功率放大器版图设计 | 第48-51页 |
| ·版图设计考虑 | 第48-49页 |
| ·后仿真及结果分析 | 第49-51页 |
| ·本章总结 | 第51-53页 |
| 第5章 测试结果及分析 | 第53-59页 |
| ·PCB 板的设计 | 第53-55页 |
| ·测试结果与分析 | 第55-57页 |
| ·本章总结 | 第57-59页 |
| 总结与展望 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 附录 A 攻读学位期间所发表的学术论文目录 | 第65页 |
