碳化硅圆环端面的研磨技术研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-19页 |
| ·研究背景 | 第10-11页 |
| ·国内外研究现状 | 第11-17页 |
| ·碳化硅陶瓷的物理化学性质 | 第11-12页 |
| ·碳化硅陶瓷的工艺流程 | 第12-13页 |
| ·陶瓷材料去除形式的研究 | 第13页 |
| ·碳化硅陶瓷去除机理的研究 | 第13-15页 |
| ·陶瓷材料的研磨抛光技术研究 | 第15-16页 |
| ·碳化硅陶瓷的抛光现状 | 第16-17页 |
| ·课题的研究的目标和意义 | 第17-18页 |
| ·课题的研究内容 | 第18-19页 |
| 第2章 碳化硅陶瓷的去除模型和去除形式研究 | 第19-31页 |
| ·硬脆材料的研磨过程 | 第19-20页 |
| ·碳化硅陶瓷材料的去除模型研究 | 第20-25页 |
| ·陶瓷材料的基本去除过程 | 第20页 |
| ·单颗磨粒的力学模型 | 第20-22页 |
| ·磨粒的切入深度模型 | 第22-24页 |
| ·材料的去除率研究 | 第24-25页 |
| ·碳化硅陶瓷的去除形式研究 | 第25-30页 |
| ·材料去除形式的内容 | 第25-26页 |
| ·碳化硅工件表面去除形式的转变 | 第26-28页 |
| ·影响材料去除的因素的实验研究 | 第28-30页 |
| ·本章小节 | 第30-31页 |
| 第3章 碳化硅圆环端面的研磨轨迹研究 | 第31-43页 |
| ·单面研磨加工的工作原理 | 第31-33页 |
| ·单面研磨加工的研磨轨迹分析 | 第33-35页 |
| ·单面研磨加工的轨迹仿真 | 第35-39页 |
| ·研磨轨迹的仿真步骤 | 第35页 |
| ·各因素对研磨轨迹的影响 | 第35-39页 |
| ·仿真结果分析 | 第39页 |
| ·研磨均匀性实验 | 第39-41页 |
| ·研磨盘转速和工件转速之比对研磨均匀性的影响 | 第40-41页 |
| ·偏心距对研磨均匀性的影响 | 第41页 |
| ·本章小节 | 第41-43页 |
| 第4章 碳化硅圆环端面的研磨加工工艺研究 | 第43-59页 |
| ·研磨加工设备和工艺参数 | 第43-46页 |
| ·加工设备和检测仪器 | 第43-45页 |
| ·研磨加工的工艺参数 | 第45-46页 |
| ·工件的研磨加工过程 | 第46-56页 |
| ·粗研加工 | 第46-52页 |
| ·精研加工 | 第52-56页 |
| ·加工效率 | 第56-57页 |
| ·本章小节 | 第57-59页 |
| 第5章 碳化硅圆环端面的抛光加工工艺研究 | 第59-68页 |
| ·抛光表面的形成过程 | 第59-60页 |
| ·影响工件表面粗糙度的单因素抛光实验 | 第60-64页 |
| ·抛光垫对表面粗糙度的影响 | 第60-61页 |
| ·抛光压力对表面粗糙度的影响 | 第61-62页 |
| ·抛光盘转速对表面粗糙度的影响 | 第62-63页 |
| ·磨料粒度对表面粗糙度的影响 | 第63页 |
| ·抛光液浓度对表面粗糙度的影响 | 第63-64页 |
| ·工件的抛光加工实验 | 第64-66页 |
| ·抛光加工条件 | 第64页 |
| ·抛光加工实验结果 | 第64-66页 |
| ·本章小节 | 第66-68页 |
| 第6章 结论与展望 | 第68-70页 |
| ·结论 | 第68-69页 |
| ·展望 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 攻读学位期间参加的科研项目和成果 | 第74页 |
