| 第一章 引言 | 第1-10页 |
| 第二章 文献综述 | 第10-29页 |
| 2．1 半导体光电探测器 | 第10-11页 |
| 2．2 InGaAs PIN光电探测器概述 | 第11-16页 |
| 2．3 InGaAs PIN光电探测器的研究进展 | 第16-23页 |
| 2．3．1 传统型面入射InGaAs PIN光电探测器 | 第16-17页 |
| 2．3．2 侧入射InGaAs PIN光电探测器 | 第17-21页 |
| 2．3．3 单极型InGaAs PIN光电探测器（UTC-PD） | 第21页 |
| 2．3．4 InGaAs PIN超高速光电探测器的封装和混合集成 | 第21-22页 |
| 2．3．5 InGaAs PIN光电探测器的光电混合集成（OEIC） | 第22-23页 |
| 2．4 InGaAs/InP材料的MBE生长 | 第23-28页 |
| 2．4．1 三种外延材料生长技术 | 第23-26页 |
| 2．4．2 用MBE技术进行材料生长 | 第26-28页 |
| 2．5 小结 | 第28-29页 |
| 第三章 探测器的设计 | 第29-54页 |
| 3．1 光电探测器的工作原理 | 第29-38页 |
| 3．1．1 伏安特性方程 | 第29-30页 |
| 3．1．2 响应度 | 第30-32页 |
| 3．1．3 暗电流 | 第32-34页 |
| 3．1．4 电容 | 第34-35页 |
| 3．1．5 交流响应 | 第35-38页 |
| 3．2 探测器的结构设计 | 第38-47页 |
| 3．2．1 简介 | 第38-39页 |
| 3．2．2 耦合方式选择 | 第39-40页 |
| 3．2．3 外延材料结构设计 | 第40-44页 |
| 3．2．4 器件图形设计 | 第44-47页 |
| 3．3 探测器的版图设计 | 第47-51页 |
| 3．3．1 工艺步骤 | 第47-48页 |
| 3．3．2 器件光刻图形设计 | 第48-49页 |
| 3．3．3 对准标记 | 第49-50页 |
| 3．3．4 测试标记和胖瘦标记 | 第50页 |
| 3．3．5 版图 | 第50-51页 |
| 3．4 小结 | 第51-54页 |
| 第四章 InGaAs PIN光电探测器单项工艺研究和工艺流程设定 | 第54-67页 |
| 4．1 反转胶工艺 | 第54-57页 |
| 4．2 台面腐蚀工艺 | 第57-60页 |
| 4．3 钝化工艺 | 第60-61页 |
| 4．4 器件工艺流程 | 第61-66页 |
| 4．5 小结 | 第66-67页 |
| 第五章 器件特性参数测量和结果讨论 | 第67-81页 |
| 5．1 器件特性测量系统 | 第67-73页 |
| 5．1．1 I—V特性测量系统 | 第67-68页 |
| 5．1．2 光谱响应测量系统 | 第68-70页 |
| 5．1．3 C—V特性测量系统 | 第70-71页 |
| 5．1．4 瞬态响应测量系统 | 第71-73页 |
| 5．2 探测器的特性参数测试和结果讨论 | 第73-79页 |
| 5．2．1 I—V特性参数测量 | 第73-75页 |
| 5．2．2 光谱响应测量 | 第75-76页 |
| 5．2．3 C—V特性的测量 | 第76-78页 |
| 5．2．4 瞬态响应的测量 | 第78-79页 |
| 5．3 小结 | 第79-81页 |
| 第六章 结论 | 第81-82页 |
| 参考文献 | 第82-87页 |
| 附录一： 发表文章 | 第87页 |
| 附录二： 个人简历 | 第87页 |
