| 中文摘要 | 第1-3页 |
| Abstract | 第3-6页 |
| 第1章 绪论 | 第6-22页 |
| ·引言 | 第6页 |
| ·纳米硅/单晶硅异质结的研究现状及发展趋势 | 第6-17页 |
| ·纳米硅薄膜的研究现状及发展趋势 | 第7-13页 |
| ·纳米薄膜异质结的研究现状及发展趋势 | 第13-17页 |
| ·纳米硅/单晶硅异质结的应用前景 | 第17-20页 |
| ·在太阳能电池方面的应用 | 第17页 |
| ·在集成电路方面的应用 | 第17-18页 |
| ·在压力传感器方面的应用 | 第18-19页 |
| ·在发光器件方面的应用 | 第19-20页 |
| ·课题研究的目的、意义及主要研究工作 | 第20页 |
| ·本章小结 | 第20-22页 |
| 第2章 纳米硅/单晶硅异质结的基本结构与基本理论 | 第22-44页 |
| ·纳米硅/单晶硅异质结的基本结构 | 第22-23页 |
| ·纳米硅薄膜的基本特性及理论 | 第23-27页 |
| ·弹道输运机制 | 第23页 |
| ·单电子效应与库仑阻塞效应 | 第23-25页 |
| ·压阻效应 | 第25-26页 |
| ·共振隧穿现象与负微分电阻特性 | 第26-27页 |
| ·纳米硅/单晶硅异质结的基本理论 | 第27-43页 |
| ·理想突变异质结的典型能带结构 | 第27-31页 |
| ·突变异质结的电输运机制 | 第31-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 第3章 纳米硅/单晶硅异质结制作的工艺原理及工艺过程 | 第44-59页 |
| ·纳米硅薄膜的制备 | 第44-52页 |
| ·LPCVD方法制备纳米硅薄膜的工艺基本原理 | 第44-49页 |
| ·PECVD方法制备纳米硅薄膜的工艺基本原理 | 第49-52页 |
| ·纳米硅/单晶硅异质结制作的工艺过程 | 第52-54页 |
| ·纳米硅/单晶硅异质结制作的主要工艺步骤 | 第54-58页 |
| ·热氧化生长 | 第54-55页 |
| ·光刻 | 第55-56页 |
| ·腐蚀 | 第56-57页 |
| ·离子注入 | 第57-58页 |
| ·金属淀积 | 第58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第4章 纳米硅/单晶硅异质结实验结果与分析 | 第59-67页 |
| ·纳米硅薄膜SEM分析 | 第59-60页 |
| ·纳米硅/单晶硅异质结二极管I-V特性测试结果与分析 | 第60-61页 |
| ·纳米硅/单晶硅异质结二极管 C-V特性测试结果与分析 | 第61-63页 |
| ·纳米硅/单晶硅异质结二极管温度特性测试结果与分析 | 第63-65页 |
| ·纳米硅/单晶硅异质结二极管的应用设计方案 | 第65-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 结论 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
