| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-11页 |
| 第一章 文献综述 | 第11-27页 |
| ·引言 | 第11页 |
| ·纳米材料的简介及特性 | 第11-15页 |
| ·纳米材料的简介 | 第11-12页 |
| ·纳米材料的特性 | 第12-15页 |
| ·一维材料的研究进展 | 第15-22页 |
| ·制备方法 | 第15-17页 |
| ·电化学制备一维材料的研究现状 | 第17-22页 |
| ·绿色溶剂—离子液体 | 第22-23页 |
| ·第一性原理 | 第23-24页 |
| ·研究内容及创新点 | 第24-27页 |
| ·研究内容 | 第24页 |
| ·创新点 | 第24-27页 |
| 第二章 实验部分 | 第27-37页 |
| ·实验试剂及仪器 | 第27-28页 |
| ·离子液体中模板-电沉积法制备CuO一维材料 | 第28-33页 |
| ·氧化铝模板的制备 | 第28-32页 |
| ·离子液体的配制 | 第32页 |
| ·电沉积 | 第32-33页 |
| ·热处理 | 第33页 |
| ·电沉积注意事项 | 第33页 |
| ·阳极氧化法制备CuO一维材料 | 第33-34页 |
| ·基体预处理 | 第33-34页 |
| ·阳极氧化 | 第34页 |
| ·热处理 | 第34页 |
| ·阳极氧化法制备ZnO晶须 | 第34页 |
| ·电解液的配制 | 第34页 |
| ·阳极氧化 | 第34页 |
| ·样品的观察与表征 | 第34-37页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM)表征 | 第34-35页 |
| ·X射线能谱分析(EDS)表征 | 第35页 |
| ·X射线衍射(XRD)表征 | 第35-37页 |
| 第三章 离子液体中模板-电沉积法制备CuO一维材料 | 第37-49页 |
| ·引言 | 第37页 |
| ·实验部分 | 第37-38页 |
| ·CuO一维材料的制备 | 第37页 |
| ·样品的分析与表征 | 第37-38页 |
| ·结果与讨论 | 第38-48页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM)表征 | 第38-40页 |
| ·X射线衍射(XRD)表征 | 第40-41页 |
| ·X射线能谱分析(EDS)表征 | 第41-42页 |
| ·模板氧化机理 | 第42-43页 |
| ·阶梯降压法对导电性的影响 | 第43-44页 |
| ·氧化次数对孔径的影响 | 第44-45页 |
| ·扩孔时间对孔径的影响 | 第45-46页 |
| ·电沉积时间的影响 | 第46-47页 |
| ·沉积机理探讨 | 第47-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 第四章 阳极氧化法制备CuO和ZnO一维材料 | 第49-65页 |
| ·引言 | 第49页 |
| ·CuO纳米线(棒)的制备 | 第49-56页 |
| ·CuO一维材料的制备 | 第49页 |
| ·结果与讨论 | 第49-56页 |
| ·ZnO晶须的制备 | 第56-63页 |
| ·ZnO晶须的制备 | 第56页 |
| ·结果与讨论 | 第56-62页 |
| ·ZnO晶须的电化学反应机理 | 第62-63页 |
| ·本章小结 | 第63-65页 |
| 第五章 CuO纳米线第一性原理研究 | 第65-73页 |
| ·引言 | 第65页 |
| ·计算模型和方法 | 第65-67页 |
| ·计算模型 | 第65-66页 |
| ·计算方法 | 第66-67页 |
| ·计算结果与讨论 | 第67-71页 |
| ·结构性质 | 第67-68页 |
| ·CuO及CuO纳米线的Mulliken布局分析 | 第68-70页 |
| ·CuO和CuO纳米线的电子结构 | 第70-71页 |
| ·小结 | 第71-73页 |
| 第六章 结论和建议 | 第73-75页 |
| ·结论 | 第73-74页 |
| ·建议 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-81页 |
| 致谢 | 第81-82页 |
| 硕士期间所发表的学术论文及专利 | 第82页 |