中文摘要 | 第1-7页 |
Abstract | 第7-14页 |
第一章 前言 | 第14-34页 |
·高压物理学研究意义及发展 | 第14-16页 |
·高压科学与其他学科的交叉 | 第16-17页 |
·高压实验装置与技术 | 第17-25页 |
·金刚石对顶砧(diamond anvil cell-DAC)高压装置 | 第18-19页 |
·金刚石对顶砧的应用 | 第19页 |
·金刚石压腔原位测量技术 | 第19-23页 |
·密封垫的选择 | 第23页 |
·传压介质的选择 | 第23-24页 |
·压力的标定 | 第24-25页 |
·高压下电学测量的发展及研究意义 | 第25-28页 |
·高压下电学测量的发展 | 第25-26页 |
·高压下电学测量的意义 | 第26-28页 |
·高压同步辐射的发展及研究意义 | 第28-32页 |
·同步辐射介绍及其优点 | 第28-30页 |
·高压下的同步辐射 X 射线衍射 | 第30-32页 |
·本论文的选题目的和意义 | 第32页 |
·论文各部分的主要内容 | 第32-34页 |
第二章 高压电学测量方法和测量微电路的集成 | 第34-45页 |
·高压下直流电阻率、Hall 效应测量 | 第34-38页 |
·Van der Pauw 直流电阻率测量方法 | 第34-35页 |
·变温电阻率测量 | 第35-36页 |
·高压 Hall 效应测量方法 | 第36-38页 |
·高压下交流阻抗谱法 | 第38-43页 |
·测量微电路在金刚石对顶砧上的集成 | 第43-45页 |
第三章 CaB_4的压致等结构相变 | 第45-57页 |
·研究背景 | 第45-46页 |
·高压下 CaB_4的结构性质研究 | 第46-51页 |
·高压下 CaB_4能带结构及声子谱的计算 | 第51-52页 |
·高压下 CaB_4的电输运性质测量 | 第52-55页 |
·室温下电输运性质测量 | 第52-53页 |
·变温电阻率测量 | 第53-55页 |
·小结 | 第55-57页 |
第四章 ABO_3型碲基氧化物的高压原位电学性质研究 | 第57-76页 |
·钙钛矿研究背景 | 第57-58页 |
·BaTeO_3高压电学及拉曼研究 | 第58-67页 |
·BaTeO_3结构特点 | 第58-59页 |
·BaTeO_3高压拉曼光谱 | 第59-61页 |
·BaTeO_3高压交流阻抗谱测量 | 第61-65页 |
·BaTeO_3高压直流电阻率测量 | 第65-66页 |
·BaTeO_3高压变温电阻率测量 | 第66-67页 |
·高压下 SrTeO_3电学性质研究 | 第67-74页 |
·SrTeO_3研究背景及结构特点 | 第67-69页 |
·SrTeO_3高压交流阻抗谱测量 | 第69-72页 |
·SrTeO_3高压直流电阻率测量 | 第72-73页 |
·SrTeO_3高压变温电阻率测量 | 第73-74页 |
·小结 | 第74-76页 |
第五章 高压下 CuInX2(X=S, Se)的结构、电学性质研究 | 第76-98页 |
·研究背景 | 第76-79页 |
·高压下 CuInS2的结构及电学性质研究 | 第79-90页 |
·纳米 CuInS2的制备 | 第79-80页 |
·高压下纳米 CuInS2的结构性质研究 | 第80-83页 |
·高压下纳米 CuInS2的 Hall 效应测量 | 第83-85页 |
·高压下纳米 CuInS2的变温电阻率测量 | 第85-87页 |
·纳米 CuInS2的第一性原理计算 | 第87-90页 |
·高压下 CuInSe_2的电学性质研究 | 第90-96页 |
·CuInSe_2的制备 | 第90-91页 |
·高压下 CuInSe_2的 Hall 效应测量 | 第91-93页 |
·高压下 CuInSe_2的变温电阻率测量 | 第93-94页 |
·CuInSe_2的第一性原理计算 | 第94-96页 |
·小结 | 第96-98页 |
第六章 高压下 Bi_2Sr_2CoO_(6+X)的结构和压致金属化研究 | 第98-104页 |
·研究背景 | 第98-100页 |
·高压下 Bi_2Sr_2CoO_(6+x)的结构性质研究 | 第100-101页 |
·高压下 Bi_2Sr_2CoO_(6+x)的电学性质研究 | 第101-103页 |
·小结 | 第103-104页 |
第七章 总结与展望 | 第104-107页 |
参考文献 | 第107-120页 |
作者简介及在学期间所取得的科研成果 | 第120-122页 |
致谢 | 第122页 |