| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-29页 |
| ·热电材料研究历史 | 第9-18页 |
| ·热电效应的一般描述 | 第10-13页 |
| ·与热电研究相关的固体理论 | 第13-18页 |
| ·热电材料研究进展 | 第18-22页 |
| ·传统的热电材料 | 第18-19页 |
| ·Bi_2Te_3类材料 | 第19-20页 |
| ·Skutterudite化合物晶体结构 | 第20页 |
| ·金属氧化物类 | 第20页 |
| ·笼式化合物(Clathrate) | 第20-21页 |
| ·PbTe类材料 | 第21-22页 |
| ·SiGe基热电材料 | 第22-27页 |
| ·SiGe基热电材料的研究应用状况 | 第22页 |
| ·Si与Ge合金的物理性质以及比例 | 第22-25页 |
| ·SiGe热电材料的主要制备方法 | 第25-27页 |
| ·本研究的目的和内容 | 第27-29页 |
| 第2章 实验方法与测试 | 第29-36页 |
| ·主要原料 | 第29页 |
| ·实验方法 | 第29-31页 |
| ·Si_(80)Ge_(20)合金的制备 | 第30-31页 |
| ·Si_(80)Ge_(20)基p型合金半导体的制备 | 第31页 |
| ·热电性能测试原理及装置 | 第31-36页 |
| ·Seebeck系数的测试原理 | 第31-33页 |
| ·电导率的测试原理 | 第33-34页 |
| ·热导率的测试原理 | 第34-36页 |
| 第3章 Si_(80)Ge_(20)基热电材料的制备及微观结构 | 第36-43页 |
| ·Si_(80)Ge_(20)试样的制备 | 第36-37页 |
| ·Si_(80)Ge_(20)的熔炼 | 第36-37页 |
| ·Si_(80)Ge_(20)的SPS烧结 | 第37页 |
| ·p型试样Si_(80)Ge_(20)的制备与微观结构 | 第37-42页 |
| ·p型试样Si_(80)Ge_(20)的熔炼 | 第37-38页 |
| ·p型试样Si_(80)Ge_(20)B_(1)的烧结 | 第38页 |
| ·p型Si_(80)Ge_(20)试样的XRD衍射图普 | 第38-41页 |
| ·p型Si_(80)Ge_(20)试样的SEM图片 | 第41-42页 |
| ·小结 | 第42-43页 |
| 第4章 Si_(80)Ge_(20)基热电材料的热电性能 | 第43-61页 |
| ·Si_(80)Ge_(20)试样的热电性能 | 第43-47页 |
| ·Si_(80)Ge_(20)的电阻率ρ | 第43-45页 |
| ·Si_(80)Ge_(20)的Seebeck系数 | 第45页 |
| ·Si_(80)Ge_(20)的热导率κ | 第45-46页 |
| ·Si_(80)Ge_(20)的ZT值 | 第46-47页 |
| ·p型Si_(80)Ge_(20)B_x试样的热电性能 | 第47-52页 |
| ·p型Si_(80)Ge_(20)B_x试样的电阻率ρ | 第47-49页 |
| ·p型Si_(80)Ge_(20)B_x材料的Seebeck系数 | 第49-50页 |
| ·p型Si_(80)Ge_(20)B_x材料的热电力因子 | 第50-51页 |
| ·p型Si_(80)Ge_(20)B_x材料的热导率 | 第51-52页 |
| ·p型Si_(80)Ge_(20)B_x材料的ZT值 | 第52页 |
| ·p型Si_(80)Ge_(20)B_1(Si_3N_4)_3与Si_(80)Ge_(20)B_1试样的热电性能 | 第52-57页 |
| ·p型Si_(80)Ge_(20)B_1(Si_3N_4)_3与Si_(80)Ge_(20)B_1试样的电阻率ρ | 第52-54页 |
| ·p型Si_(80)Ge_(20)B_1(Si_3N_4)_3与Si_(80)Ge_(20)B_1试样的Seebeck系数 | 第54-55页 |
| ·p型Si_(80)Ge_(20)B_1(Si_3N_4)_3与Si_(80)Ge_(20)B_1试样的热电力因子 | 第55页 |
| ·p型Si_(80)Ge_(20)B_1(Si_3N_4)_3与Si_(80)Ge_(20)B_1试样的热导率 | 第55-56页 |
| ·p型Si_(80)Ge_(20)B_1(Si_3N_4)_3与Si_(80)Ge_(20)B_1试样的ZT值 | 第56-57页 |
| ·p型Si_(80)Ge_(20)Al_1与Si_(80)Ge_(20)B_1试样的热电性能 | 第57-60页 |
| ·p型Si_(80)Ge_(20)Al_1与Si_(80)Ge_(20)B_1试样的电阻率ρ | 第57页 |
| ·p型Si_(80)Ge_(20)Al_1与Si_(80)Ge_(20)B_1试样的Seebeck系数 | 第57-58页 |
| ·p型Si_(80)Ge_(20)Al_1与Si_(80)Ge_(20)B_1试样的热电力因子 | 第58-59页 |
| ·p型Si_(80)Ge_(20)Al_1与Si_(80)Ge_(20)B_1试样的热导率 | 第59页 |
| ·p型Si_(80)Ge_(20)Al_1与Si_(80)Ge_(20)B_1试样的ZT值 | 第59-60页 |
| ·小结 | 第60-61页 |
| 第5章 结论 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-67页 |
| 致谢 | 第67页 |
