| 中文摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第一章 引言 | 第11-13页 |
| 第二章 文献综述 | 第13-32页 |
| ·ZnO 薄膜的基本性质 | 第13-17页 |
| ·ZnO 薄膜的制备方法 | 第17-20页 |
| ·ZnO 薄膜中的本征缺陷和掺杂 | 第20-26页 |
| ·ZnO 基 p-n 结的研究进展 | 第26-32页 |
| 第三章 ZnO 薄膜的常压 MOCVD 生长系统、生长工艺以及性能表征 | 第32-45页 |
| ·ZnO 薄膜生长系统简介 | 第32-33页 |
| ·本文使用的自制常压 MOCVD 系统的基本构造 | 第33-39页 |
| ·衬底 | 第39-40页 |
| ·源 | 第40-42页 |
| ·基本生长工艺 | 第42-43页 |
| ·性能表征 | 第43-45页 |
| 第四章 ZnO 单晶薄膜的常压 MOCVD 生长 | 第45-68页 |
| ·激光干涉在线监测系统在 ZnO 薄膜生长中的应用介绍 | 第45-47页 |
| ·高温缓冲层厚度对 ZnO 薄膜生长的影响 | 第47-52页 |
| ·外延层生长速率对 ZnO 薄膜生长的影响 | 第52-54页 |
| ·富 Zn 环境对 ZnO 薄膜生长的影响 | 第54-57页 |
| ·外延层生长中引入腐蚀性气体对 ZnO 薄膜生长的影响 | 第57-66页 |
| ·小结 | 第66-68页 |
| 第五章 ZnO 掺 Al 薄膜的常压 MOCVD 生长 | 第68-76页 |
| ·ZnO 掺 Al 薄膜的简介 | 第68-69页 |
| ·AZO 薄膜的制备 | 第69-71页 |
| ·AZO 薄膜的形貌和结构分析 | 第71-73页 |
| ·AZO 薄膜的电学特性 | 第73-74页 |
| ·AZO 薄膜的光学特性 | 第74-75页 |
| ·小结 | 第75-76页 |
| 第六章 NH_3 掺杂 ZnO 薄膜的常压 MOCVD 生长 | 第76-90页 |
| ·引言 | 第76页 |
| ·NH_3 掺杂温度对 ZnO 薄膜的性能影响 | 第76-81页 |
| ·NH_3 掺杂方式对 ZnO 薄膜的性能影响 | 第81-84页 |
| ·NH_3 掺杂流量对 ZnO 薄膜的性能影响 | 第84-88页 |
| ·小结 | 第88-90页 |
| 第七章 ZnO 同质 p-n 结的制备 | 第90-102页 |
| ·引言 | 第90页 |
| ·ZnO 同质 p-n 结的制备工艺 | 第90-92页 |
| ·欧姆接触 | 第92-95页 |
| ·ZnO 同质 p-n 结的 I-V 特性曲线 | 第95-101页 |
| ·小结 | 第101-102页 |
| 第八章 总结和展望 | 第102-104页 |
| 参考文献 | 第104-117页 |
| 致谢 | 第117-119页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文目录 | 第119-122页 |
