| 摘要 | 第1-3页 |
| ABSTRACT | 第3-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-21页 |
| ·硅量子点材料的研究意义 | 第8-9页 |
| ·硅量子点的应用与展望 | 第9-11页 |
| ·硅量子点的光致发光 | 第9页 |
| ·硅量子点的电致发光 | 第9-10页 |
| ·基于硅纳米晶的非易失性存储器 | 第10-11页 |
| ·利用磁控溅射工艺制备薄膜 | 第11-13页 |
| ·溅射薄膜的形成过程 | 第11-12页 |
| ·不同溅射速率对薄膜的影响 | 第12-13页 |
| ·Si结晶的热力学状态和择优取向现象 | 第13-18页 |
| ·Si/SiO_2和Si/SiN_x系统的硅结晶模型 | 第13-16页 |
| ·薄膜结晶中的择优取向生长现象 | 第16-18页 |
| ·SiO_xN_y薄膜的研究 | 第18-20页 |
| ·SiO_xN_y基体中的硅量子点 | 第18页 |
| ·薄膜中的氮流失 | 第18-20页 |
| ·本试验的实验思路和创新之处 | 第20-21页 |
| ·采用不同的溅射速率研究硅的结晶状态 | 第20页 |
| ·利用三明治结构生长研究硅结晶的热力学状态 | 第20页 |
| ·研究在SiO_xN_y薄膜中氮元素的流失现象 | 第20-21页 |
| 第二章 试验原料和试验设备 | 第21-23页 |
| ·试验材料 | 第21页 |
| ·试验的制备与测试设备 | 第21-23页 |
| ·JGP450G型三靶共溅射高真空磁控溅射设备 | 第21-22页 |
| ·GSL1600X真空管式高温炉 | 第22页 |
| ·Tecnai G2 F20 场发射透射电子显微镜 | 第22页 |
| ·F4500 荧光分光光度计 | 第22页 |
| ·Nicolet560 傅立叶变换红外光谱仪 | 第22页 |
| ·Cross-section样品制备工具及仪器 | 第22-23页 |
| 第三章 不同溅射速率对Si/SiO_2复合膜中硅结晶影响的研究 | 第23-31页 |
| ·Si/SiO_2复合膜样品的制备 | 第23-25页 |
| ·用双靶交替磁控溅射方法制备薄膜样品 | 第23-24页 |
| ·两步退火处理 | 第24-25页 |
| ·试验结果与分析 | 第25-31页 |
| ·快速退火薄膜的微观结构TEM观察 | 第25-28页 |
| ·溅射速率影响Si结晶的机理分析 | 第28-29页 |
| ·两步退火后薄膜的结晶分析 | 第29-31页 |
| 第四章 SiO_2/Si/SiO_2三明治结构中硅纳米晶的择优取向生长研究 | 第31-41页 |
| ·SiO_2/Si/SiO_2三明治结构样品的制备 | 第31-33页 |
| ·用双靶交替磁控溅射方法制备薄膜样品 | 第31页 |
| ·炉内退火处理 | 第31-32页 |
| ·Cross-section样品的制备 | 第32-33页 |
| ·结果与分析 | 第33-41页 |
| ·退火后样品的TEM结果分析 | 第33-38页 |
| ·界面对于Si结晶影响的理论计算 | 第38-39页 |
| ·Si晶的{1 1 1}面择优取向生长的分析 | 第39页 |
| ·Si孪晶生长方式的分析 | 第39-40页 |
| ·PL特性的分析 | 第40-41页 |
| 第五章 SiO_xN_y薄膜退火中氮原子流失现象的研究 | 第41-48页 |
| ·SiO_xN_y薄膜样品的制备 | 第41-42页 |
| ·反应溅射制备薄膜样品 | 第41页 |
| ·炉内退火处理 | 第41-42页 |
| ·结果与分析 | 第42-48页 |
| ·退火后薄膜的TEM观察及N流失现象 | 第42-44页 |
| ·N流失对于Si结晶影响的讨论 | 第44-46页 |
| ·PL特性的分析 | 第46-48页 |
| 第六章 结论 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-57页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58页 |
