SiC薄膜的低压化学气相外延生长及其微结构特性研究
| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-38页 |
| ·SiC半导体材料与应用 | 第11-23页 |
| ·SiC的结构性质 | 第12-14页 |
| ·SiC的物理和化学性质 | 第14-15页 |
| ·SiC块材单晶的制备 | 第15-19页 |
| ·SiC器件研究 | 第19-23页 |
| ·SiC器件工艺 | 第20页 |
| ·主要SiC器件 | 第20-23页 |
| ·SiC薄膜制备 | 第23-32页 |
| ·升华法 | 第24页 |
| ·液相外延法 | 第24-25页 |
| ·溅射法 | 第25页 |
| ·脉冲激光沉积 | 第25-26页 |
| ·分子束外延 | 第26页 |
| ·化学气相沉积 | 第26-32页 |
| ·本论文的主要工作 | 第32-34页 |
| 参考文献 | 第34-38页 |
| 第二章 CVD设备及SiC薄膜生长的物理化学过程 | 第38-49页 |
| ·CVD设备 | 第38-41页 |
| ·SiC薄膜生长的物理与化学过程 | 第41-48页 |
| ·SiC薄膜CVD生长的动力学分析 | 第41-44页 |
| ·SiC薄膜CVD生长的热力学分析 | 第44-48页 |
| 参考文献 | 第48-49页 |
| 第三章 Si衬底上3C-SiC薄膜的异质外延 | 第49-82页 |
| ·引言 | 第49页 |
| ·样品制备 | 第49-52页 |
| ·Si(111)衬底上SiC薄膜的外延 | 第52-66页 |
| ·生长温度对SiC薄膜生长的影响 | 第52-59页 |
| ·碳化对SiC薄膜生长的影响 | 第59-66页 |
| ·碳化温度的影响 | 第59-62页 |
| ·碳化时间和C_3H_8流速的影响 | 第62-63页 |
| ·SiC薄膜优化生长 | 第63-66页 |
| ·Si(100)衬底上SiC薄膜的外延 | 第66-74页 |
| ·Si(110)衬底上SiC薄膜的外延 | 第74-79页 |
| 参考文献 | 第79-82页 |
| 第四章 蓝宝石衬底上SiC薄膜的外延 | 第82-95页 |
| ·引言 | 第82-83页 |
| ·样品制备 | 第83-84页 |
| ·生长条件对SiC薄膜结晶性的影响 | 第84-87页 |
| ·不同晶型SiC薄膜的控制生长与表征 | 第87-94页 |
| 参考文献 | 第94-95页 |
| 第五章 SiC衬底上SiC薄膜的外延 | 第95-104页 |
| ·引言 | 第95页 |
| ·样品制备 | 第95-96页 |
| ·结果与讨论 | 第96-103页 |
| 参考文献 | 第103-104页 |
| 第六章 总结与展望 | 第104-107页 |
| 博士期间成果 | 第107-108页 |
