单片集成通信光电子器件中异质兼容问题的理论与实验研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-13页 |
| 符号说明 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-27页 |
| ·研究的背景和意义 | 第16-18页 |
| ·大失配异质外延的技术现状 | 第18-25页 |
| ·缓冲层技术 | 第19-20页 |
| ·柔性衬底技术 | 第20-24页 |
| ·横向外延技术 | 第24-25页 |
| ·论文的结构安排 | 第25-27页 |
| 第二章 新材料的理论预测 | 第27-68页 |
| ·新型材料系理论预测的意义 | 第27-29页 |
| ·总能量赝势计算原理 | 第29-41页 |
| ·引言 | 第29-30页 |
| ·Born-Oppenheimer近似 | 第30-31页 |
| ·Hohenberg-Kohn定理 | 第31-33页 |
| ·Kohn-Sham方法 | 第33-35页 |
| ·交换相关能泛函 | 第35-38页 |
| ·Kohn-Sham方程平面波表达 | 第38-40页 |
| ·电子与离子相互作用赝势近似 | 第40-41页 |
| ·CASTEP仿真软件简介 | 第41-43页 |
| ·计算方法和计算过程 | 第43-45页 |
| ·计算方法的选择 | 第43-44页 |
| ·计算过程 | 第44-45页 |
| ·计算结果及分析 | 第45-66页 |
| ·闪锌矿结构BP,BAs,BSb的结构与电子属性 | 第47-54页 |
| ·三元系材料的理论预测 | 第54-59页 |
| ·含硼砷化物的四元系材料 | 第59-62页 |
| ·含硼锑化物的四元系材料 | 第62-66页 |
| ·本章小结 | 第66-68页 |
| 第三章 MOCVD生长室热场和流场的模拟与分析 | 第68-84页 |
| ·基本的反应和设备 | 第68-72页 |
| ·生长机制 | 第72-77页 |
| ·垂直式反应室热场与流场的模拟与分析 | 第77-83页 |
| ·垂直式反应室的优点 | 第78页 |
| ·MOCVD生长室的模拟过程 | 第78-80页 |
| ·结果分析 | 第80-83页 |
| ·本章小结 | 第83-84页 |
| 第四章 超薄低温柔性衬底的研究 | 第84-97页 |
| ·超薄低温缓冲层法InP／GaAs异质外延 | 第84-96页 |
| ·实验与外延生长 | 第84-86页 |
| ·实验结果与讨论 | 第86-92页 |
| ·退火的影响 | 第92-96页 |
| ·本章小结 | 第96-97页 |
| 第五章 横向外延生长技术的初步探索 | 第97-108页 |
| ·InP衬底的外延生长 | 第97页 |
| ·掩模层的生长和刻蚀 | 第97-98页 |
| ·横向外延生长工艺的优化 | 第98-106页 |
| ·掩模晶向对横向外延的影响 | 第98-101页 |
| ·Ⅴ／Ⅲ比对于横向外延的影响 | 第101-103页 |
| ·窗口大小与掩模大小对横向外延的影响 | 第103-105页 |
| ·温度对于横向外延的影响 | 第105-106页 |
| ·本章小结 | 第106-108页 |
| 第六章 总结与未来的工作 | 第108-111页 |
| ·总结 | 第108-109页 |
| ·未来的工作 | 第109-111页 |
| 参考文献 | 第111-124页 |
| 致谢 | 第124-126页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第126页 |
