磁控溅射法制备ZnO薄膜及其特性研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-15页 |
| ·显示技术及其发展 | 第8-10页 |
| ·平板显示材料的研究及其应用进展 | 第10-13页 |
| ·稀磁性半导体材料研究进展 | 第13页 |
| ·选题的意义 | 第13-15页 |
| 第二章 理论基础 | 第15-39页 |
| ·ZnO的性质及应用 | 第15-19页 |
| ·ZnO的基本性质 | 第15-19页 |
| ·ZnO的应用 | 第19页 |
| ·ZnO薄膜的制备及其掺杂 | 第19-26页 |
| ·ZnO薄膜的制备 | 第19-24页 |
| ·ZnO的掺杂 | 第24页 |
| ·ZnO薄膜的稀磁性 | 第24-26页 |
| ·ZnO薄膜的发光机理的研究 | 第26-38页 |
| ·光电显示材料的分类 | 第26页 |
| ·材料发光的基本原理 | 第26-31页 |
| ·阴极射线激发材料的发光过程 | 第31-33页 |
| ·ZnO薄膜发光机理的研究 | 第33-38页 |
| ·ZnO薄膜的应用前景 | 第38-39页 |
| 第三章 实验及测试方法 | 第39-49页 |
| ·溅射镀膜 | 第39-40页 |
| ·溅射镀膜的工作原理 | 第39-40页 |
| ·溅射镀膜的特点 | 第40页 |
| ·溅射镀膜的分类 | 第40页 |
| ·磁控溅射镀膜 | 第40-43页 |
| ·磁控溅射的原理 | 第40-42页 |
| ·磁控溅射的特点 | 第42-43页 |
| ·直流反应磁控溅射实验仪器及操作 | 第43-45页 |
| ·设备的主要技术参数 | 第43页 |
| ·设备的构成 | 第43-44页 |
| ·仪器的操作规程 | 第44-45页 |
| ·测试方法 | 第45-49页 |
| ·结构分析 | 第45-46页 |
| ·形貌分析 | 第46-47页 |
| ·场致发光测试 | 第47-48页 |
| ·光致发光测试 | 第48页 |
| ·光吸收谱测试 | 第48-49页 |
| 第四章 实验及结果分析 | 第49-77页 |
| ·溅射功率对ZnO薄膜的影响 | 第49-52页 |
| ·溅射功率对ZnO薄膜的结构的影响 | 第49-51页 |
| ·溅射功率对ZnO薄膜的形貌的影响 | 第51页 |
| ·小结 | 第51-52页 |
| ·工作压强对ZnO薄膜的影响 | 第52-57页 |
| ·工作压强对ZnO薄膜结构特性的影响 | 第52-53页 |
| ·工作压强对ZnO薄膜形貌结构的影响 | 第53-54页 |
| ·工作压强对ZnO薄膜场致发光的影响 | 第54-55页 |
| ·工作压强对ZnO薄膜光致发光的影响 | 第55-56页 |
| ·工作压强对ZnO薄膜吸收谱的影响 | 第56-57页 |
| ·小结 | 第57页 |
| ·衬底温度对ZnO薄膜的影响 | 第57-63页 |
| ·衬底温度对ZnO薄膜结构特性的影响 | 第57-59页 |
| ·衬底温度对ZnO薄膜形貌结构的影响 | 第59-61页 |
| ·衬底温度对ZnO薄膜场致发光的影响 | 第61-62页 |
| ·衬底温度对ZnO薄膜光致发光的影响 | 第62-63页 |
| ·小结 | 第63页 |
| ·退火处理对ZnO薄膜的影响 | 第63-68页 |
| ·退火处理对ZnO薄膜结构特性的影响 | 第64-65页 |
| ·退火处理对ZnO薄膜形貌结构的影响 | 第65-66页 |
| ·退火处理对ZnO薄膜光致发光的影响 | 第66-67页 |
| ·工作压强对ZnO薄膜吸收谱的影响 | 第67页 |
| ·小结 | 第67-68页 |
| ·ZnO薄膜的掺杂 | 第68-72页 |
| ·N_2作为掺杂剂的掺杂 | 第68-69页 |
| ·NH_3作为掺杂剂的掺杂 | 第69-72页 |
| ·小结 | 第72页 |
| ·ZnO薄膜的稀磁性研究 | 第72-77页 |
| ·掺Ⅴ的氧化锌薄膜的制备 | 第73-74页 |
| ·对掺Ⅴ的氧化锌薄膜的测试分析 | 第74-75页 |
| ·小结 | 第75-77页 |
| 第五章 结论 | 第77-79页 |
| 参考文献 | 第79-85页 |
| 致谢 | 第85-86页 |
| 附录 | 第86页 |
