| 学位论文独创性声明 | 第1页 |
| 学位论文使用授权声明 | 第2-3页 |
| 中文摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-6页 |
| 第一章 引言 | 第6-9页 |
| ·课题的背景与意义 | 第6-7页 |
| ·论文各部分的主要内容 | 第7-9页 |
| 第二章 器件建模的基本理论与高压器件模拟、建模 | 第9-24页 |
| ·物理表征建模的含义与工程建模过程 | 第9-15页 |
| ·模拟技术 | 第15-23页 |
| ·DDDMOS 器件模拟框图 | 第23-24页 |
| 第三章 DDDMOS 器件结构及工作原理 | 第24-40页 |
| ·DDDMOS 器件结构 | 第24-28页 |
| ·DDDMOS 工作原理分析 | 第28-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 DDDMOS 伏安特性建模 | 第40-57页 |
| ·高压MOS 建模方法简介 | 第40页 |
| ·修正的BSIM3V3 模型[6]、[13]、[20] | 第40-47页 |
| ·构造漂移区电阻的宏模型对DDDMOS 建模 | 第47-55页 |
| ·本章小结 | 第55-57页 |
| 第五章 结论 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-60页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第60-61页 |
| 附录1 MEDICI 工具介绍 | 第61-62页 |
| 附录2 DDDMOS 器件模拟源程序 | 第62-71页 |
| 附录3 SPICE MOS LEVEL=3 模型参数 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 中文详细摘要 | 第73-75页 |