| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-9页 |
| 第一章 前言 | 第9-28页 |
| ·纳米材料概述 | 第9-12页 |
| ·纳米材料的性质及应用 | 第9-10页 |
| ·纳米材料及纳米结构 | 第10-11页 |
| ·纳米材料的物理特性 | 第11-12页 |
| ·纳米材料制备方法 | 第12-19页 |
| ·水热、溶剂热合成法 | 第13-17页 |
| ·水热合成法的特点 | 第13-14页 |
| ·溶剂热合成法的特点 | 第14页 |
| ·溶剂热合成法中溶剂的选择 | 第14-15页 |
| ·水热与溶剂热法的成核与生长 | 第15-16页 |
| ·水热与溶剂热法中影响晶体形貌的因素 | 第16-17页 |
| ·模板合成法 | 第17-18页 |
| ·准一维纳米材料制备法 | 第18-19页 |
| ·纳米材料的表征 | 第19-22页 |
| ·结构分析 | 第20-21页 |
| ·晶态分析 | 第21页 |
| ·化学成分分析 | 第21-22页 |
| ·Ⅳ-Ⅵ族半导体化合物的结构与性质 | 第22-23页 |
| ·硫化锡及硒化锡纳米晶的研究概况 | 第23-26页 |
| ·硫化锡纳米晶的研究概况 | 第23-25页 |
| ·硒化锡纳米晶的研究概况 | 第25-26页 |
| ·开展本课题工作的目的和意义 | 第26-27页 |
| ·本论文工作 | 第27-28页 |
| 第二章 SnS纳米及微米晶的制备及结构表征 | 第28-44页 |
| ·引言 | 第28页 |
| ·试验材料和仪器 | 第28-29页 |
| ·SnS纳米带的制备及表征 | 第29-39页 |
| ·实验结果与讨论 | 第29-39页 |
| ·SnS纳米带的晶型结构XRD分析 | 第29-30页 |
| ·SnS纳米带的透射电镜TEM分析和电子衍射分析 | 第30-32页 |
| ·SnS纳米带的扫描电镜SEM分析 | 第32-33页 |
| ·SnS纳米带的能谱分析 | 第33页 |
| ·SnS纳米带的紫外-可见吸收光谱 | 第33-34页 |
| ·反应温度对SnS纳米带的影响 | 第34-36页 |
| ·硫源对SnS纳米带的影响 | 第36页 |
| ·溶剂和添加剂对SnS纳米带的影响 | 第36-37页 |
| ·溶剂热条件下SnS纳米带生长机理探讨 | 第37-39页 |
| ·小结 | 第39页 |
| ·SnS微米管的制备及表征 | 第39-44页 |
| ·实验结果与讨论 | 第39-43页 |
| ·SnS微米管的晶型结构XRD分析 | 第40页 |
| ·SnS微米管的SEM分析 | 第40-41页 |
| ·SnS微米管的紫外-可见吸收光谱 | 第41-42页 |
| ·反应条件对合成SnS微米管的影响及生长机理讨论 | 第42-43页 |
| ·小结 | 第43-44页 |
| 第三章 SnSe_2／SnSe纳米片的制备及结构表征 | 第44-65页 |
| ·引言 | 第44页 |
| ·试验材料及仪器 | 第44-45页 |
| ·以Na_2SeO_3为硒源合成SnSe_2及SnSe纳米片 | 第45-54页 |
| ·实验结果与讨论 | 第45-53页 |
| ·反应时间对合成SnSe_2及SnSe纳米片的影响 | 第45-51页 |
| ·反应物浓度对合成SnSe_2及SnSe纳米片的影响 | 第51-52页 |
| ·溶剂对合成SnSe_2及SnSe纳米片的影响 | 第52-53页 |
| ·溶剂化过程中SnSe_2及SnSe纳米片的反应机理探讨 | 第53页 |
| ·小结 | 第53-54页 |
| ·以硒粉为硒源合成SnSe_2及SnSe纳米片的制备与表征 | 第54-65页 |
| ·实验结果与讨论 | 第54-64页 |
| ·反应时间对合成SnSe_2及SnSe纳米片的影响 | 第55-57页 |
| ·反应物计量比对合成SnSe_2及SnSe纳米片的影响 | 第57-58页 |
| ·溶剂及添加剂种类对合成SnSe_2及SnSe纳米片的影响 | 第58-60页 |
| ·添加剂用量对合成SnSe_2及SnSe纳米片的影响 | 第60-64页 |
| ·小结 | 第64-65页 |
| 结论 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 攻读硕士学位期间已发表和待发的论文 | 第73-74页 |
| 独创性声明 | 第74-75页 |
| 关于论文使用授权的说明 | 第75页 |
