| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 综述 | 第8-18页 |
| ·太阳电池的发展历史及现状 | 第8-9页 |
| ·太阳电池的研究概况 | 第9-17页 |
| ·单晶硅太阳电池 | 第10-11页 |
| ·多晶硅太阳电池 | 第11-12页 |
| ·硅带太阳电池 | 第12页 |
| ·硅薄层（Silicon film~(TM) ）太阳电池 | 第12-13页 |
| ·非晶硅/单晶硅异质结（HIT~(TM)）太阳电池 | 第13-14页 |
| ·非晶硅薄膜太阳电池 | 第14-15页 |
| ·铜铟（镓）硒（CIS 或CIGS）薄膜太阳电池 | 第15-16页 |
| ·碲化镉（CdTe）太阳电池 | 第16页 |
| ·有机太阳电池 | 第16-17页 |
| ·本课题研究的重点 | 第17-18页 |
| 第二章 晶硅太阳电池的基本原理 | 第18-27页 |
| ·光电转换过程 | 第18-19页 |
| ·光的反射与折射 | 第18页 |
| ·半导体中的光吸收 | 第18-19页 |
| ·PN 结的光生伏特效应 | 第19页 |
| ·导体中的复合过程 | 第19-22页 |
| ·直接复合 | 第19-20页 |
| ·间接复合 | 第20-21页 |
| ·俄歇复合 | 第21页 |
| ·表面复合 | 第21-22页 |
| ·硅太阳电池的基本器件方程 | 第22-27页 |
| ·理想 PN 结的伏安特性 | 第22页 |
| ·硅太阳电池的基本结构与工作原理 | 第22-23页 |
| ·硅太阳电池的基本特征参数 | 第23-26页 |
| ·太阳电池的输出特性 | 第26-27页 |
| 第三章 氮化硅膜在多晶硅太阳电池上的应用研究 | 第27-49页 |
| ·氮化硅的常见制备方法 | 第27-29页 |
| ·直接氮化 | 第27-28页 |
| ·物理气相淀积法（PVD） | 第28页 |
| ·化学气相沉积（CVD） | 第28-29页 |
| ·等离子体化学气相沉积法（PECVD） | 第29-32页 |
| ·PECVD 反应原理 | 第29页 |
| ·PECVD 设备 | 第29-30页 |
| ·工艺参数 | 第30-32页 |
| ·氮化硅的性能 | 第32-34页 |
| ·性能概述 | 第32-34页 |
| ·PECVD 工艺参数对SiN 膜性质的影响 | 第34页 |
| ·氮化硅在多晶硅太阳电池上的作用 | 第34-38页 |
| ·减反射作用 | 第34-36页 |
| ·钝化作用 | 第36-38页 |
| ·实验 | 第38-40页 |
| ·氮化硅薄膜的制备 | 第38-39页 |
| ·退火炉和RTCVD 退火 | 第39页 |
| ·常规多晶硅太阳电池的制备 | 第39-40页 |
| ·实验结果和分析 | 第40-49页 |
| ·氮化硅配比的研究 | 第40-44页 |
| ·沉积温度的优化 | 第44-45页 |
| ·不同退火条件对于多晶硅以及氮化硅薄膜的影响 | 第45-47页 |
| ·氮化硅性能的实验小结 | 第47页 |
| ·氮化硅在多晶硅太阳电池上的作用 | 第47-49页 |
| 第四章 太阳电池背场吸杂工艺的研究 | 第49-59页 |
| ·吸杂技术 | 第49-51页 |
| ·吸杂技术在太阳电池中的应用 | 第49-50页 |
| ·吸杂原理 | 第50-51页 |
| ·不同条件铝吸杂的研究 | 第51-55页 |
| ·不同电阻率单晶硅片铝背场烧结 | 第51-52页 |
| ·不同铝膜厚度烧结 | 第52-53页 |
| ·实验现象分析 | 第53-54页 |
| ·实验小结 | 第54-55页 |
| ·不同背场吸杂的比较 | 第55-57页 |
| ·铝吸杂的局限性 | 第55页 |
| ·铝吸杂、掺硼硅外延吸杂的对比 | 第55-56页 |
| ·实验小结 | 第56-57页 |
| ·铝背场与RTP 工艺结合 | 第57-59页 |
| ·实验 | 第57页 |
| ·铝背场烧结与RTP 工艺结合的效果 | 第57-58页 |
| ·实验分析 | 第58-59页 |
| ·实验小结 | 第59页 |
| 第五章 结论 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第65页 |