Si基外延GaN中缺陷的研究
| 第一章 绪论 | 第1-23页 |
| §1-1 GaN的发展历程 | 第9-11页 |
| §1-2 GaN的研究概况 | 第11-21页 |
| 1-2-1 GaN的性质 | 第11-13页 |
| 1-2-2 衬底材料 | 第13-14页 |
| 1-2-3 GaN薄膜生长技术 | 第14-15页 |
| 1-2-4 GaN中的缺陷 | 第15-19页 |
| 1-2-5 GaN的湿法化学腐蚀 | 第19-20页 |
| 1-2-6 GaN发展面临的挑战 | 第20-21页 |
| §1-3 本文主要研究内容 | 第21-23页 |
| 第二章 实验 | 第23-28页 |
| §2-1 实验样品制备 | 第23页 |
| §2-2 主要实验手段 | 第23-26页 |
| 2-2-1 双晶X射线衍射(DCXRD) | 第23-24页 |
| 2-2-2 扫描电子显微镜(SEM) | 第24页 |
| 2-2-3 原子力显微镜(AFM) | 第24-25页 |
| 2-2-4 透射电子显微镜(TEM) | 第25页 |
| 2-2-5 傅立叶红外分析(FTIR) | 第25-26页 |
| §2-3 GaN外延层中缺陷的显示 | 第26-28页 |
| 第三章 GaN样品性能测试 | 第28-33页 |
| §3-1 GaN制备 | 第28页 |
| §3-2 GaN表面形貌 | 第28-31页 |
| §3-3 GaN双晶X射线衍射和傅立叶红外分析 | 第31-32页 |
| §3-4 小结 | 第32-33页 |
| 第四章 GaN薄膜中的缺陷 | 第33-41页 |
| §4-1 引言 | 第33-34页 |
| §4-2 实验方案 | 第34页 |
| §4-3 结果分析与讨论 | 第34-40页 |
| 4-3-1 位错 | 第34-36页 |
| 4-3-2 V缺陷 | 第36-38页 |
| 4-3-3 裂纹 | 第38-40页 |
| §4-4 小结 | 第40-41页 |
| 第五章 GaN薄膜中缺陷的腐蚀显示 | 第41-53页 |
| §5-1 引言 | 第41页 |
| §5-2 实验过程 | 第41-43页 |
| §5-3 结果分析与讨论 | 第43-51页 |
| 5-3-1 湿法化学腐蚀的机理 | 第43页 |
| 5-3-2 影响腐蚀形貌的因素 | 第43-45页 |
| 5-3-3 光照对腐蚀的影响 | 第45-48页 |
| 5-3-4 不同形状腐蚀坑的成因 | 第48-51页 |
| §5-4 小结 | 第51-53页 |
| 第六章 结论 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第62页 |
