| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-20页 |
| ·引言 | 第7-8页 |
| ·半导体量子点纳米复合薄膜材料研究现状 | 第8-14页 |
| ·探索硅基发光材料的背景及意义 | 第8-9页 |
| ·硅基发光材料研究概述 | 第9-14页 |
| ·半导体纳米复合薄膜概述 | 第9-10页 |
| ·半导体纳米复合薄膜制备方法 | 第10-12页 |
| ·硅基发光材料的发光机理 | 第12-14页 |
| ·本节小结 | 第14页 |
| ·Si 纳米线的研究现状 | 第14-18页 |
| ·Si 纳米线的制备方法概述 | 第14-16页 |
| ·Si 纳米线的生长机理概述 | 第16-17页 |
| ·Si 纳米线的应用研究 | 第17-18页 |
| ·选题依据与创新点 | 第18-19页 |
| ·本论文的研究目的和内容 | 第19-20页 |
| 第二章 制备与分析方法 | 第20-29页 |
| ·Si/SiC 纳米复合薄膜的制备与分析方法 | 第20-26页 |
| ·实验材料 | 第20页 |
| ·样品的制备 | 第20-24页 |
| ·双靶交替溅射＋高温退火 | 第21-23页 |
| ·Si-C 复合靶溅射＋低温退火 | 第23-24页 |
| ·样品的分析方法 | 第24-26页 |
| ·光致发光的测量－PL 分析 | 第25页 |
| ·组织微观结构－TEM 分析 | 第25-26页 |
| ·组织物相－XRD 分析 | 第26页 |
| ·红外光谱－FTIR 分析 | 第26页 |
| ·Si 纳米线的制备与分析方法 | 第26-29页 |
| ·实验原料 | 第26页 |
| ·制备－简单热蒸发法 | 第26-27页 |
| ·分析方法－TEM、SEM、EDS | 第27-29页 |
| ·组织微观结构－TEM 分析 | 第27-28页 |
| ·形貌成分－SEM 分析 | 第28-29页 |
| 第三章 Si/SiC 薄膜的光致发光性质和机理研究 | 第29-47页 |
| ·多层膜法制备的薄膜分析 | 第29-38页 |
| ·光致发光谱－PL 分析 | 第29-30页 |
| ·薄膜微观结构－TEM 分析 | 第30-34页 |
| ·薄膜成键－FTIR 分析 | 第34页 |
| ·薄膜物相－XRD 分析 | 第34-37页 |
| ·薄膜的发光机理分析 | 第37-38页 |
| ·退火工艺的研究 | 第38-43页 |
| ·陶瓷舟承载氩气保护 | 第39页 |
| ·氧化铝舟承载氩气保护石墨粉包埋 | 第39-40页 |
| ·石墨舟承载氧化铝舟倒扣石墨粉包埋氩气保护 | 第40-41页 |
| ·石墨舟承载氧化铝舟倒扣木炭粉包埋氢气保护 | 第41-43页 |
| ·复合膜法制备的薄膜初步分析 | 第43-45页 |
| ·成分对薄膜发光的影响 | 第43页 |
| ·不同热处理温度对发光的影响 | 第43-45页 |
| ·本章小结 | 第45-47页 |
| 第四章 Si 纳米线的制备与生长机理研究 | 第47-57页 |
| ·Si 纳米线的结果分析 | 第47-54页 |
| ·结构-TEM 分析 | 第47-49页 |
| ·形貌SEM 分析 | 第49-51页 |
| ·能谱-EDS 分析 | 第51-52页 |
| ·快冷样品对比分析 | 第52-54页 |
| ·Si 纳米线的生长机理 | 第54-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 主要结论 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-65页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66页 |