首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--基本电子电路论文--放大技术、放大器论文--放大器论文

0.6μm CMOS工艺900MHz GSM低噪声放大器和混频器的设计

摘要第1-7页
Abstract第7-8页
第1章 引言第8-13页
   ·信息通信发展和GSM(全球移动通讯系统)第8-9页
   ·GSM标准第9-11页
     ·GSM接收机性能指标第10-11页
   ·集成电路的工艺选择第11-12页
   ·本论文的主要工作第12-13页
第2章 CMOS工艺中的电容与电感第13-23页
   ·CMOS工艺中的电容第13-15页
   ·CMOS工艺中的电感第15-22页
     ·CMOS工艺中电感的模型第15-18页
     ·品质因数(Q)第18-21页
     ·电感Q值的提高第21-22页
     ·自谐振频率及提高第22页
   ·CMOS工艺中电容和电感的建模第22-23页
第3章 RFIC中MOS管模型第23-36页
   ·MOS管的射频模型第23-27页
   ·MOS管的噪声模型第27-36页
     ·MOS管沟道热噪声第27-29页
     ·MOS管栅感应噪声第29-32页
     ·MOS管闪烁噪声第32-33页
     ·MOS管BSIM4.3.0模型中的噪声第33-36页
第4章 低噪声放大器的设计第36-50页
   ·GSM接收机构架选择第36-39页
     ·GSM接收机中LNA的基本要求第38-39页
   ·LNA的各种构架及比较第39-40页
   ·电感负反馈LNA的NF与MOS管栅宽的关系及优化第40-43页
   ·电路的线性度第43-44页
   ·LNA的电路设计及版图设计考虑第44-49页
     ·LNA的电路设计第44-49页
     ·LNA的版图设计考虑第49页
   ·小结第49-50页
第5章 混频器的设计第50-73页
   ·混频器性能参数及结构选择第51-55页
     ·混频器的性能参数第51-54页
     ·混频器的结构选择第54-55页
   ·电流开关型CMOS GILBERT混频器的变频增益第55-58页
   ·电流开关型CMOS GILBERT混频器的噪声分析第58-60页
     ·混频器的跨导级噪声分析第59页
     ·混频器的开关级噪声分析第59页
     ·混频器的本振噪声分析第59页
     ·混频器的噪声系数第59-60页
   ·低压电流开关型混频器构架第60-61页
   ·混频器的电路设计及与LNA的级联第61-67页
     ·混频器的电路设计第61-64页
     ·混频器与LNA的级联电路第64-67页
   ·LNA级联混频器电路的版图设计第67-69页
   ·一种新型混频器的设计第69-73页
结论第73-76页
参考文献第76-80页
致谢第80-82页
附录A(攻读学位期间所发表的学术论文目录)第82-84页
附录B 射频接收前端的噪声,线性度及频率变换基础第84-94页
 B. 1 二端口网络的噪声理论第84-88页
 B. 2 电路中的信号失真和动态范围第88-92页
 B. 3 频率变换和频谱布局第92-94页

论文共94页,点击 下载论文
上一篇:基于EVA的经营者激励报酬计划研究
下一篇:群体决策支持系统中的模型库研究