摘要 | 第1-7页 |
Abstract | 第7-8页 |
第1章 引言 | 第8-13页 |
·信息通信发展和GSM(全球移动通讯系统) | 第8-9页 |
·GSM标准 | 第9-11页 |
·GSM接收机性能指标 | 第10-11页 |
·集成电路的工艺选择 | 第11-12页 |
·本论文的主要工作 | 第12-13页 |
第2章 CMOS工艺中的电容与电感 | 第13-23页 |
·CMOS工艺中的电容 | 第13-15页 |
·CMOS工艺中的电感 | 第15-22页 |
·CMOS工艺中电感的模型 | 第15-18页 |
·品质因数(Q) | 第18-21页 |
·电感Q值的提高 | 第21-22页 |
·自谐振频率及提高 | 第22页 |
·CMOS工艺中电容和电感的建模 | 第22-23页 |
第3章 RFIC中MOS管模型 | 第23-36页 |
·MOS管的射频模型 | 第23-27页 |
·MOS管的噪声模型 | 第27-36页 |
·MOS管沟道热噪声 | 第27-29页 |
·MOS管栅感应噪声 | 第29-32页 |
·MOS管闪烁噪声 | 第32-33页 |
·MOS管BSIM4.3.0模型中的噪声 | 第33-36页 |
第4章 低噪声放大器的设计 | 第36-50页 |
·GSM接收机构架选择 | 第36-39页 |
·GSM接收机中LNA的基本要求 | 第38-39页 |
·LNA的各种构架及比较 | 第39-40页 |
·电感负反馈LNA的NF与MOS管栅宽的关系及优化 | 第40-43页 |
·电路的线性度 | 第43-44页 |
·LNA的电路设计及版图设计考虑 | 第44-49页 |
·LNA的电路设计 | 第44-49页 |
·LNA的版图设计考虑 | 第49页 |
·小结 | 第49-50页 |
第5章 混频器的设计 | 第50-73页 |
·混频器性能参数及结构选择 | 第51-55页 |
·混频器的性能参数 | 第51-54页 |
·混频器的结构选择 | 第54-55页 |
·电流开关型CMOS GILBERT混频器的变频增益 | 第55-58页 |
·电流开关型CMOS GILBERT混频器的噪声分析 | 第58-60页 |
·混频器的跨导级噪声分析 | 第59页 |
·混频器的开关级噪声分析 | 第59页 |
·混频器的本振噪声分析 | 第59页 |
·混频器的噪声系数 | 第59-60页 |
·低压电流开关型混频器构架 | 第60-61页 |
·混频器的电路设计及与LNA的级联 | 第61-67页 |
·混频器的电路设计 | 第61-64页 |
·混频器与LNA的级联电路 | 第64-67页 |
·LNA级联混频器电路的版图设计 | 第67-69页 |
·一种新型混频器的设计 | 第69-73页 |
结论 | 第73-76页 |
参考文献 | 第76-80页 |
致谢 | 第80-82页 |
附录A(攻读学位期间所发表的学术论文目录) | 第82-84页 |
附录B 射频接收前端的噪声,线性度及频率变换基础 | 第84-94页 |
B. 1 二端口网络的噪声理论 | 第84-88页 |
B. 2 电路中的信号失真和动态范围 | 第88-92页 |
B. 3 频率变换和频谱布局 | 第92-94页 |