CdTe多晶薄膜的制备及后处理研究
中文摘要 | 第1-6页 |
英文摘要 | 第6-8页 |
第一章 引言 | 第8-20页 |
·体太阳电池研究进展 | 第8-10页 |
·单晶硅太阳电池 | 第9-10页 |
·体多晶硅太阳电池 | 第10页 |
·薄膜太阳电池研究进展况 | 第10-18页 |
·非晶硅太阳电池 | 第11-13页 |
·多晶、微晶薄膜硅太阳电池 | 第13-14页 |
·铜锢硒多晶薄膜太阳电池 | 第14-15页 |
·CdTe多晶薄膜太阳电池 | 第15-17页 |
·有机半导体薄膜太阳电池 | 第17-18页 |
·本文研究目的及方案 | 第18-20页 |
第二章 CdTe多晶薄膜的制备和后处理 | 第20-44页 |
·近空间升华制备及后处理 | 第20-34页 |
·近空间升华设备简介 | 第20-21页 |
·近空间升华原理 | 第21-23页 |
·CdTe多晶薄膜的制备 | 第23-30页 |
·CdTe多晶薄膜沉积后处理 | 第30-34页 |
·CdTe多晶薄膜的电学性质 | 第34-40页 |
·暗电导率 | 第34-35页 |
·霍耳效应 | 第35-40页 |
·CdTe多晶薄膜的光学性质 | 第40-42页 |
·基本原理 | 第40-41页 |
·实验、结果与讨论 | 第41-42页 |
·小结 | 第42-44页 |
第三章 CdTe太阳电池的制备 | 第44-54页 |
·太阳电池的基本原理 | 第44-46页 |
·CdTe多晶薄膜太阳电池的制备 | 第46-49页 |
·后处理条件对电池性能的影响 | 第49-53页 |
·后处理时间对电池性能的影响 | 第50页 |
·CdCl2后处理气氛对电池的影响 | 第50-53页 |
·小结 | 第53-54页 |
第四章 主要结论与进一步工作建议 | 第54-55页 |
·主要结论 | 第54页 |
·对进一步工作的建议 | 第54-55页 |
参考文献 | 第55-58页 |
致谢 | 第58-59页 |
附录 | 第59-60页 |
声明 | 第60页 |