| 第一章 绪论 | 第1-15页 |
| §1． 1 概述 | 第8-9页 |
| §1． 2 半导体中的电子态 | 第9-11页 |
| §1． 3 量子点的形成 | 第11-13页 |
| §1． 4 相关研究进展与应用前景 | 第13-15页 |
| 第二章 分子束外延生长技术及表征技术简介 | 第15-23页 |
| §2． 1 分子束外延技术（MBE） | 第15-17页 |
| §2． 2 扫描探针显微镜 | 第17-19页 |
| §2． 3 光谱测量 | 第19-23页 |
| 第三章 普通单层InAs量子点的发光特性 | 第23-34页 |
| §3． 1 样品的结构及制备 | 第24-25页 |
| §3． 2 实验结果与分析 | 第25-32页 |
| §3． 2． 1 AFM观测 | 第25页 |
| §3． 2． 2 变温PL谱测量结果与分析 | 第25-28页 |
| §3． 2． 3 量子点与浸润层的发光机理 | 第28-29页 |
| §3． 2． 4 时间分辨谱 | 第29-32页 |
| §3． 3 本章小结 | 第32-34页 |
| 第四章 InGaAs和AlAs缓冲层对量子点发光性质的影响 | 第34-49页 |
| §4． 1 样品结构与制备 | 第34-35页 |
| §4． 2 实验结果与分析 | 第35-47页 |
| §4． 2． 1 低温光致发光谱 | 第36-39页 |
| §4． 2． 2 变温光致发光谱 | 第39-44页 |
| §4． 2． 3 时间分辨谱 | 第44-47页 |
| §4． 3 本章小结 | 第47-49页 |
| 第五章 循环生长的量子点的发光性质研究 | 第49-62页 |
| §5． 1 样品结构与制备 | 第49-50页 |
| §5． 2 低温光致发光谱 | 第50-52页 |
| §5． 3 变温光致发光谱 | 第52-57页 |
| §5． 4 时间分辨谱研究 | 第57-60页 |
| §5． 5 本章小结 | 第60-62页 |
| 第六章 结论 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 硕士期间完成的论文 | 第64-65页 |