| 中文摘要 | 第1-8页 |
| 英文摘要 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| 1．1 大功率半导体激光器的发展与现状 | 第10-11页 |
| 1．2 大功率半导体激光器面临的主要问题 | 第11-18页 |
| 1．2．1 发热 | 第12-15页 |
| 1．2．2 光束质量 | 第15-17页 |
| 1．2．3 发光效率 | 第17-18页 |
| 1．3 高亮度发光二极管的发展与现状 | 第18-19页 |
| 1．4 高亮度发光二极管面临的主要问题 | 第19-21页 |
| 1．4．1 发热 | 第19-20页 |
| 1．4．2 关键技术 | 第20-21页 |
| 1．5 本课题的主要工作和研究意义 | 第21-22页 |
| 第二章 新型多有源区隧道再生量子阱激光器特性分析 | 第22-54页 |
| 2．1 新型多有源区隧道再生量子阱激光器机理分析 | 第22-24页 |
| 2．2 隧道结特性分析 | 第24-34页 |
| 2．2．1 电学特性分析 | 第25-29页 |
| 2．2．2 光学特性分析 | 第29-34页 |
| 2．2．3 热学特性分析 | 第34页 |
| 2．3 新型多有源区隧道再生量子阱激光器特性分析 | 第34-53页 |
| 2．3．1 光学特性分析 | 第34-47页 |
| 2．3．2 电学特性分析 | 第47-48页 |
| 2．3．3 热学特性分析 | 第48-53页 |
| 2．4 结语 | 第53-54页 |
| 第三章 激光器制备工艺 | 第54-70页 |
| 3．1 宽条形激光器制备工艺 | 第54-57页 |
| 3．2 宽条形激光器阈值电流分析 | 第57-68页 |
| 3．2．1 普通单有源区量子阱激光器阈值电流分析 | 第57-64页 |
| 3．2．2 新型多有源区隧道再生量子阱激光器阈值电流分析 | 第64-68页 |
| 3．3 工艺中存在的问题及可能的解决办法 | 第68-69页 |
| 3．4 结语 | 第69-70页 |
| 第四章 AlGaInP高亮度发光二极管特性分析 | 第70-82页 |
| 4．1 光学特性分析 | 第70-78页 |
| 4．1．1 亮度表征及效率分析 | 第70-75页 |
| 4．1．2 轴向发光强度 | 第75-76页 |
| 4．1．3 P-I特性 | 第76-77页 |
| 4．1．4 光谱 | 第77-78页 |
| 4．2 电学特性分析 | 第78-79页 |
| 4．3 热学特性分析 | 第79-80页 |
| 4．4 结语 | 第80-82页 |
| 第五章 发光管制备工艺 | 第82-90页 |
| 5．1 发光二极管基本制备工艺 | 第82-84页 |
| 5．2 工艺中存在的问题及相应的解决办法 | 第84-89页 |
| 5．2．1 电极制备工艺 | 第84-85页 |
| 5．2．2 与轴向发光强度有关的后工艺因素 | 第85-89页 |
| 5．3 结语 | 第89-90页 |
| 结论 | 第90-92页 |
| 参考文献 | 第92-98页 |
| 致 谢 | 第98页 |