半导体量子点中电子属性的理论研究
中文摘要 | 第1-6页 |
ABSTRACT | 第6-10页 |
第1章 绪论 | 第10-22页 |
·量子的基本观念 | 第10-12页 |
·光量子 | 第10页 |
·物质波 | 第10-11页 |
·量子力学 | 第11-12页 |
·量子结构 | 第12-13页 |
·有效质量 | 第13-14页 |
·有效质量的概念 | 第13-14页 |
·两种理论近似方法 | 第14-20页 |
·变分法 | 第14-16页 |
·一维有限差分法 | 第16-17页 |
·两种近似方法与精确解的比较 | 第17-20页 |
·选题背景及内容 | 第20-22页 |
·选题背景 | 第20-21页 |
·本文的研究内容 | 第21-22页 |
第2章 半导体量子点中电子的Stark效应 | 第22-40页 |
·引言 | 第22页 |
·理论模型及计算 | 第22-26页 |
·数值结果及分析 | 第26-38页 |
·电场方位对Stark能移的影响 | 第26-31页 |
·量子箱的尺寸对Stark效应的影响 | 第31-38页 |
·本章小节 | 第38-40页 |
第3章 半导体量子点中杂质的结合能 | 第40-54页 |
·引言 | 第40页 |
·理论模型及计算 | 第40-47页 |
·数值结果及分析 | 第47-53页 |
·本章小节 | 第53-54页 |
第4章 结论 | 第54-56页 |
参考文献 | 第56-60页 |
致谢 | 第60-61页 |
攻读硕士期间发表的论文 | 第61-62页 |
简历 | 第62页 |