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半导体量子点中电子属性的理论研究

中文摘要第1-6页
ABSTRACT第6-10页
第1章 绪论第10-22页
   ·量子的基本观念第10-12页
     ·光量子第10页
     ·物质波第10-11页
     ·量子力学第11-12页
   ·量子结构第12-13页
   ·有效质量第13-14页
     ·有效质量的概念第13-14页
   ·两种理论近似方法第14-20页
     ·变分法第14-16页
     ·一维有限差分法第16-17页
     ·两种近似方法与精确解的比较第17-20页
   ·选题背景及内容第20-22页
     ·选题背景第20-21页
     ·本文的研究内容第21-22页
第2章 半导体量子点中电子的Stark效应第22-40页
   ·引言第22页
   ·理论模型及计算第22-26页
   ·数值结果及分析第26-38页
     ·电场方位对Stark能移的影响第26-31页
     ·量子箱的尺寸对Stark效应的影响第31-38页
   ·本章小节第38-40页
第3章 半导体量子点中杂质的结合能第40-54页
   ·引言第40页
   ·理论模型及计算第40-47页
   ·数值结果及分析第47-53页
   ·本章小节第53-54页
第4章 结论第54-56页
参考文献第56-60页
致谢第60-61页
攻读硕士期间发表的论文第61-62页
简历第62页

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