摘要 | 第1-8页 |
ABSTRACT | 第8-11页 |
目录 | 第11-13页 |
第一章 绪论 | 第13-41页 |
·微米和纳米金刚石薄膜的优异特性及应用 | 第13-19页 |
·金刚石的力学性能及其应用 | 第13-14页 |
·金刚石的热学性能及其应用 | 第14-15页 |
·金刚石的电学性能及其应用 | 第15-16页 |
·金刚石的光学性能及其应用 | 第16-19页 |
·异质外延和高取向金刚石薄膜沉积 | 第19-29页 |
·金刚石晶面表面结构和成核生长机理 | 第29-33页 |
·纳米金刚石薄膜的沉积制备和生长机理 | 第33-38页 |
·纳米金刚石薄膜制备 | 第33-36页 |
·纳米金刚石薄膜成核生长机理 | 第36-38页 |
·金刚石薄膜正偏压增强成核 | 第38-40页 |
·本论文的研究目的、意义和内容 | 第40-41页 |
第二章 α-SiC陶瓷衬底上EACVD成核生长纳米金刚石薄膜制备、表征及机理 | 第41-75页 |
·EA-HFCVD装置 | 第41-43页 |
·抛光衬底表面纳米金刚石粉研磨预处理 | 第43-44页 |
·在连续施加正偏压条件下气压对沉积金刚石薄膜的影响 | 第44-51页 |
·1kPa气压下连续施加正偏压对SiC衬底上沉积纳米金刚石薄膜的影响 | 第51-59页 |
·α-SiC陶瓷抛光衬底上正偏压增强成核沉积(100)和(111)定向生长薄膜 | 第59-63页 |
·α-SiC陶瓷衬底表面EACVD成核生长金刚石薄膜机理 | 第63-73页 |
·α-SiC表面结构 | 第63-66页 |
·EACVD机理 | 第66-73页 |
·电子在气体中的迁移运动 | 第66-67页 |
·电子诱导固体表面的脱附 | 第67-70页 |
·EACVD成核生长机理 | 第70-73页 |
·小结 | 第73-75页 |
第三章 (100)Si抛光衬底上EACVD成核生长纳米金刚石薄膜制备、表征及机理 | 第75-107页 |
·实验装置和原料 | 第75-76页 |
·1kPa气压下连续施加正偏压电流对Si衬底上沉积纳米金刚石薄膜的影响 | 第76-83页 |
·Si晶片抛光表面正偏压增强成核对沉积纳米金刚石薄膜的影响 | 第83-87页 |
·Si晶片抛光表面正偏压增强成核制备(100)定向金刚石薄膜及表征 | 第87-93页 |
·制备工艺 | 第89页 |
·正偏压对金刚石薄膜织构的影响 | 第89-93页 |
·正偏压对化学气相沉积金刚石薄膜成核生长的影响机理 | 第93-106页 |
·Si的清洁表面 | 第93-95页 |
·Si的氢吸附表面 | 第95页 |
·原子H与金刚石表面的作用 | 第95-96页 |
·金刚石与硅衬底之间界面的TEM研究 | 第96页 |
·表面结构 | 第96-97页 |
·气体与表面结构的相互作用 | 第97-99页 |
·吸附层的结构 | 第97页 |
·底物表面结构 | 第97-98页 |
·活化吸附理论 | 第98-99页 |
·(100)Si抛光表面EACVD金刚石薄膜成核生长机理 | 第99-106页 |
·小结 | 第106-107页 |
第四章 EACVD纳米金刚石薄膜的电学性能 | 第107-122页 |
·EACVD沉积纳米金刚石薄膜Hall效应测试及分析 | 第107-115页 |
·电阻率测量 | 第107-113页 |
·微米金刚石薄膜电导机制 | 第113-114页 |
·纳米金刚石薄膜电导机制 | 第114页 |
·EACVD纳米金刚石薄膜电导机制 | 第114-115页 |
·EACVD沉积纳米金刚石薄膜Ⅰ-Ⅴ特性曲线测试及分析 | 第115-119页 |
·正偏压电流增强成核对沉积纳米金刚石薄膜电学性能的影响 | 第119-121页 |
·小结 | 第121-122页 |
第五章 EACVD纳米金刚石薄膜的光学性能 | 第122-144页 |
·EACVD纳米金刚石薄膜光致发光光谱测试 | 第122-126页 |
·EACVD纳米金刚石薄膜光致发光机理 | 第126-133页 |
·EACVD纳米金刚石薄膜的椭圆偏振光谱研究 | 第133-143页 |
·椭圆偏振光谱测试原理 | 第134-138页 |
·EACVD纳米金刚石薄膜椭偏光谱的表征 | 第138-143页 |
·小结 | 第143-144页 |
第六章 结论与展望 | 第144-146页 |
参考文献 | 第146-155页 |
作者在攻读博士学位期间公开发表的论文 | 第155页 |
作者在攻读博士学位期间所参与的项目 | 第155-156页 |
致谢 | 第156页 |