| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-21页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·一维GaN纳米结构的研究进展 | 第9-15页 |
| ·一维GaN纳米结构的制备研究 | 第10-15页 |
| ·GeO_2纳米结构材料的研究进展 | 第15-18页 |
| ·GeO_2纳米结构的制备 | 第15-17页 |
| ·GeO_2纳米结构的性质研究 | 第17-18页 |
| ·本课题的提出及意义 | 第18页 |
| ·本论文研究路线的设计及其研究内容 | 第18-21页 |
| ·本论文的研究路线 | 第18-19页 |
| ·本论文的研究内容 | 第19-21页 |
| 第2章 GaN纳米带、纳米环和Z字结构纳米线在金属镓颗粒上的位生长及其发光性质 | 第21-37页 |
| ·引言 | 第21-22页 |
| ·实验部分 | 第22页 |
| ·实验主要设备及试剂 | 第22页 |
| ·GaN纳米带、纳米环和Z字结构纳米线的制备 | 第22页 |
| ·产物的表征 | 第22页 |
| ·实验结果与讨论 | 第22-36页 |
| ·扫描电镜分析 | 第22-24页 |
| ·拉曼分析 | 第24-25页 |
| ·透射电镜分析 | 第25-29页 |
| ·反应机理 | 第29-34页 |
| ·GaN纳米带的发光特性 | 第34-36页 |
| ·结论 | 第36-37页 |
| 第3章 GaN纳米线和Z字结构纳米线的可控合成及其光致发光研究 | 第37-49页 |
| ·引言 | 第37-38页 |
| ·实验部分 | 第38-39页 |
| ·实验主要设备及试剂 | 第38页 |
| ·GaN纳米结构的制备 | 第38页 |
| ·产物的表征 | 第38-39页 |
| ·实验结果与讨论 | 第39-48页 |
| ·扫描电镜分析 | 第39-42页 |
| ·拉曼分析 | 第42-44页 |
| ·透射电镜分析 | 第44-45页 |
| ·生长机理 | 第45-47页 |
| ·光致发光 | 第47-48页 |
| ·结论 | 第48-49页 |
| 第4章 立方相和六方相GeO_2纳米线的可控合成及其光致发光研究 | 第49-63页 |
| ·引言 | 第49-50页 |
| ·实验部分 | 第50-51页 |
| ·GeO_2纳米线的制备 | 第50页 |
| ·产物的表征 | 第50-51页 |
| ·结果与讨论 | 第51-61页 |
| ·反应温度和时间对产物形貌的影响 | 第51-54页 |
| ·XRD和Raman分析 | 第54-56页 |
| ·TEM分析 | 第56-57页 |
| ·反应机理 | 第57-59页 |
| ·光致发光 | 第59-61页 |
| ·结论 | 第61-63页 |
| 第5章 图案化GeO_2微米线的原位生长和机理研究 | 第63-69页 |
| ·引言 | 第63页 |
| ·实验 | 第63-65页 |
| ·图案化Au催化剂的制备 | 第63-64页 |
| ·GeO_2微米线的制备 | 第64-65页 |
| ·产物的表征 | 第65页 |
| ·结果与讨论 | 第65-68页 |
| ·扫描电镜分析 | 第65-66页 |
| ·XRD分析 | 第66页 |
| ·机理分析 | 第66-68页 |
| ·结论 | 第68-69页 |
| 第6章 结论 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-79页 |
| 致谢 | 第79-81页 |
| 攻读硕士学位期间取得的主要研究成果 | 第81页 |
