| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·纳米材料概述 | 第10-13页 |
| ·纳米材料 | 第10-11页 |
| ·一维纳米材料 | 第11页 |
| ·一维纳米材料在场发射领域的应用 | 第11-13页 |
| ·碳化硅(SiC)材料的基本性质 | 第13-16页 |
| ·晶体结构 | 第13-14页 |
| ·能带结构 | 第14-15页 |
| ·材料特性 | 第15-16页 |
| ·一维纳米SiC 材料的制备 | 第16-17页 |
| ·一维纳米SiC 材料材料及其场发射性能 | 第17-18页 |
| ·其它形式的SiC 纳米材料——SiC 纳米晶 | 第18页 |
| ·本文主要的研究内容及实验路线 | 第18-20页 |
| 第二章 一维纳米SiC 材料的制备与表征 | 第20-41页 |
| ·引言 | 第20页 |
| ·碳纳米管的主要制备方法 | 第20-21页 |
| ·实验设备 | 第21-25页 |
| ·偏压辅助热丝化学气相沉积 | 第21-24页 |
| ·磁控溅射仪 | 第24-25页 |
| ·直径可控垂直取向碳纳米管的生长 | 第25-35页 |
| ·CVD 方法制备碳纳米管(CNTs)的生长机制 | 第25-26页 |
| ·催化剂的制备 | 第26-28页 |
| ·生长垂直取向碳纳米管 | 第28-30页 |
| ·碳纳米管的直径 | 第30-32页 |
| ·碳纳米管的精细结构及成分表征 | 第32-34页 |
| ·对CNTs 模板的等离子体刻蚀处理 | 第34-35页 |
| ·一维纳米SiC 材料的制备 | 第35-36页 |
| ·一维纳米SiC 材料的形貌及成分表征 | 第36-41页 |
| ·一维纳米SiC 材料样品的SEM 形貌 | 第36页 |
| ·一维纳米SiC 材料样品的XPS 谱 | 第36-37页 |
| ·一维纳米SiC 材料样品的高分辨透射电镜（HRTEM）形貌 | 第37-40页 |
| ·一维纳米SiC 材料中纳米晶的尺寸及密度 | 第40-41页 |
| 第三章 一维纳米SiC 材料的场致电子发射 | 第41-54页 |
| ·引言 | 第41页 |
| ·场发射基本知识 | 第41-43页 |
| ·场致电子发射测试设备简介 | 第43-44页 |
| ·一维纳米SiC 材料的场发射性能 | 第44-47页 |
| ·一维纳米SiC 材料和碳纳米管模板的场发射性能比较 | 第47-48页 |
| ·影响一维纳米SiC 材料场发射性能的因素 | 第48-53页 |
| ·碳纳米管阵列密度对场发射性能的影响 | 第48-49页 |
| ·一维纳米SiC 材料的直径变化对其绝对场增强因子的影响 | 第49-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第四章 室温下一维纳米SiC 材料的光致发光性能研究 | 第54-63页 |
| ·引言 | 第54页 |
| ·SiC 纳米晶发光特性的研究现状 | 第54-55页 |
| ·室温下一维纳米SiC 材料的光致发光谱（PL） | 第55-57页 |
| ·利用量子尺寸限制模型对SiC 纳米晶粒“带隙”的计算 | 第57-60页 |
| ·量子限制效应模型的量子力学基础 | 第57-58页 |
| ·半导体微晶的量子限制模型 | 第58-59页 |
| ·SiC 纳米晶系统最低激发态能量的理论计算 | 第59-60页 |
| ·氢化处理对发光峰位置的影响 | 第60-61页 |
| ·非晶氢化SiC | 第60页 |
| ·一维纳米SiC 材料的氢化处理 | 第60-61页 |
| ·本章小结 | 第61-63页 |
| 第五章 总结 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-72页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
