| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 ZnO综述 | 第9-14页 |
| ·ZnO的基本性质 | 第9-12页 |
| ·ZnO的结构性质 | 第9-11页 |
| ·ZnO的光电性质 | 第11-12页 |
| ·ZnO的其他性质 | 第12页 |
| ·ZnO的应用 | 第12-14页 |
| ·声表面波器件 | 第12-13页 |
| ·GaN的缓冲层 | 第13页 |
| ·太阳能电池 | 第13页 |
| ·ZnO发光二极管 | 第13页 |
| ·紫外探测器 | 第13-14页 |
| 2 ZnO薄膜的制备和表征方法 | 第14-28页 |
| ·ZnO薄膜的制备方法 | 第14-21页 |
| ·磁控溅射法(Sputtering) | 第14页 |
| ·激光脉冲沉积法(PLD) | 第14-15页 |
| ·分子束外延生长法(MBE) | 第15-16页 |
| ·溶胶-凝胶法(Sol-Gel) | 第16-17页 |
| ·金属有机物化学气相沉积(MOCVD) | 第17-18页 |
| ·喷雾热分解法(SprayPyrolysis) | 第18-19页 |
| ·电化学沉积(ED) | 第19-20页 |
| ·电子束反应蒸镀法(Reactive Electron Beam Evaporation) | 第20-21页 |
| ·ZnO薄膜的表征方法 | 第21-28页 |
| ·X射线衍射分析法(XRD) | 第21-23页 |
| ·光致荧光光谱 | 第23-25页 |
| ·透射光谱测量 | 第25-27页 |
| ·电子探针显微分析 | 第27-28页 |
| 3 反应磁控溅射法制备ZnO薄膜 | 第28-33页 |
| ·射频磁控溅射的基本原理 | 第28-29页 |
| ·实验设备简介 | 第29-31页 |
| ·靶材选择与基片处理 | 第31页 |
| ·ZnO薄膜的制备工艺 | 第31页 |
| ·影响薄膜制备的因素 | 第31-33页 |
| 4 缓冲层厚度对于ZnO薄膜结构和光学性能的影响 | 第33-40页 |
| ·Ti缓冲层厚度对于ZnO薄膜结构和光学性能的影响 | 第33-36页 |
| ·带有Ti缓冲层的ZnO薄膜的制备 | 第33-34页 |
| ·结果与分析 | 第34-36页 |
| ·MgO缓冲层对于ZnO薄膜结构和光学性能的影响 | 第36-39页 |
| ·带有MgO缓冲层的ZnO薄膜的制备 | 第36页 |
| ·结果与分析 | 第36-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 5 退火温度对ZnO薄膜质量的影响 | 第40-53页 |
| ·退火温度对ZnO薄膜结构和发光特性的影响 | 第40-43页 |
| ·ZnO薄膜的制备 | 第40页 |
| ·结果与分析 | 第40-43页 |
| ·退火温度对于ZnO/Ti薄膜结构和光学性能的影响 | 第43-51页 |
| ·ZnO/Ti薄膜的制备及分析方法 | 第43-44页 |
| ·结果与分析 | 第44-51页 |
| ·本章小结 | 第51-53页 |
| 6 N掺杂含量对于ZnO薄膜结构和发光性能的影响 | 第53-58页 |
| ·N掺杂ZnO薄膜的制备 | 第53页 |
| ·结果与分析 | 第53-57页 |
| ·N掺杂含量对于ZnO薄膜结构的影响 | 第53-55页 |
| ·N掺杂含量对于ZnO薄膜透射光谱的影响 | 第55-56页 |
| ·N掺杂含量对于ZnO薄膜室温光致发光光谱的影响 | 第56-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 结论 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
