| 提要 | 第1-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-40页 |
| 第一节 自组装胶体晶体 | 第11-20页 |
| ·各种外场作用下的沉积技术制备胶体晶体 | 第12页 |
| ·物理限制法制备胶体晶体 | 第12-14页 |
| ·界面自组装方法制备胶体晶体 | 第14-16页 |
| ·垂直沉积技术制备胶体晶体 | 第16-20页 |
| ·温度因素 | 第16-17页 |
| ·气压因素 | 第17页 |
| ·溶剂因素 | 第17-18页 |
| ·湿度因素 | 第18页 |
| ·三相线的移动速度 | 第18-20页 |
| 第二节 特殊结构胶体晶体的制备 | 第20-30页 |
| ·胶体晶体的图案化方法 | 第20-25页 |
| ·物理模板陷域法 | 第20-22页 |
| ·化学模板陷域法 | 第22-23页 |
| ·揭起软光刻与微接触印刷法 | 第23-25页 |
| ·非紧密堆积胶体晶体的制备 | 第25-27页 |
| ·具有可控缺陷的三维胶体晶体的构筑 | 第27-28页 |
| ·非球形对称的胶体晶体 | 第28-30页 |
| 第三节 基于胶体晶体构筑有序微结构 | 第30-39页 |
| ·基于胶体晶体构筑三维有序微结构 | 第30-32页 |
| ·胶体晶体为模板的二维表面图案化 | 第32-39页 |
| ·以胶体晶体为模板在基底表面构筑有序图案 | 第33-37页 |
| ·以胶体微球为介质构筑有序微结构 | 第37-39页 |
| 第四节 本论文的选题及设计思路 | 第39-40页 |
| 第二章 基于双基片垂直沉积方法制备球形及非球形对称的胶体晶体 | 第40-56页 |
| 第一节 引言 | 第40-41页 |
| 第二节 实验部分 | 第41-43页 |
| ·实验原料 | 第41页 |
| ·聚合物微球和无机二氧化硅微球的制备 | 第41-42页 |
| ·基片选择及处理 | 第42页 |
| ·双基片垂直沉积法制备三维胶体晶体 | 第42页 |
| ·热压法制备非球形对称的胶体晶体 | 第42-43页 |
| ·表征仪器 | 第43页 |
| 第三节 双基片垂直沉积法制备大面积、高质量的胶体晶片 | 第43-47页 |
| ·胶体晶片的形成过程 | 第43-44页 |
| ·胶体晶片的内部结构表征 | 第44-45页 |
| ·胶体晶片的光学性质 | 第45-46页 |
| ·胶体晶片内胶体晶体的晶格结构调控 | 第46-47页 |
| 第四节 热压法制备非球形对称胶体晶体 | 第47-55页 |
| ·非球形对称胶体晶体的制备 | 第47-49页 |
| ·非球形对称胶体晶体的内部结构表征 | 第49-51页 |
| ·非球形对称胶体晶体中构筑基元对称性的调节 | 第51-52页 |
| ·过度热压获得的非球形对称胶体晶体 | 第52页 |
| ·非球形对称胶体晶体的光学性质 | 第52-55页 |
| 第五节 本章小结 | 第55-56页 |
| 第三章 基于非球形对称胶体晶体构筑特殊结构的大孔材料 | 第56-71页 |
| 第一节 引言 | 第56-57页 |
| 第二节 实验部分 | 第57-59页 |
| ·实验材料 | 第57页 |
| ·胶体微球的制备 | 第57-58页 |
| ·PS微球的制备 | 第57-58页 |
| ·PS@TiO_2核壳微球的制备 | 第58页 |
| ·PS@ZiO_2核壳微球表面包覆聚阴离子 | 第58页 |
| ·非球形对称的PS及PS@TiO_2核壳微球胶体晶体 | 第58页 |
| ·特殊结构有序大孔材料的制备 | 第58-59页 |
| ·表征仪器 | 第59页 |
| 第三节 基于非球形对称胶体晶体制备超大孔隙率TiO_2材料 | 第59-64页 |
| ·超大孔隙率TiO_2大孔材料的制备 | 第60页 |
| ·超大孔隙率TiO_2大孔材料的结构表征 | 第60-61页 |
| ·以不同取向的模板制备不同结构的TiO_2大孔材料 | 第61-63页 |
| ·超声方法制备二维ZiO_2纳米网格结构 | 第63-64页 |
| 第四节 具有封闭多面体形空腔的ZiO_2大孔材料 | 第64-70页 |
| ·PS@ZiO_2核壳微球的制备 | 第64-65页 |
| ·PS@TiO_2核壳微球胶体晶体 | 第65-67页 |
| ·分散介质对核壳微球自组装过程的影响 | 第65-66页 |
| ·核壳微球表面电荷对自组装过程的影响 | 第66-67页 |
| ·具有封闭多面体形空腔的TiO_2大孔材料的制备 | 第67-70页 |
| 第五节 本章小结 | 第70-71页 |
| 第四章 胶体晶体辅助印刷方法制备二维图案化阵列 | 第71-92页 |
| 第一节 引言 | 第71-72页 |
| 第二节 实验部分 | 第72-76页 |
| ·实验原料 | 第72-73页 |
| ·制备厚度可控的PS膜覆盖的基片 | 第73页 |
| ·CCAL方法压印PS薄膜制备二维有序阵列 | 第73-74页 |
| ·CCAL方法沉积图案化的阵列结构 | 第74-76页 |
| ·表征仪器 | 第76页 |
| 第三节 CCAL方法制备图案化的聚合物阵列 | 第76-85页 |
| ·CCAL方法压印PS薄膜 | 第76-77页 |
| ·图案化微结构阵列周期的模板尺寸依赖性 | 第77-79页 |
| ·图案化阵列的形貌对于聚合物膜厚的依赖性 | 第79-82页 |
| ·类环状结构高度的温度依赖性 | 第82-84页 |
| ·类环状结构形貌的压印时间依赖性 | 第84-85页 |
| 第四节 CCAL沉积法制备图案化的银纳米结构 | 第85-91页 |
| ·基于球形胶体晶体制备银纳米结 | 第86-87页 |
| ·基于非球形胶体晶体制备银纳米网格结构 | 第87-88页 |
| ·CCAL方法制备的银纳米结构的SERS应用 | 第88-91页 |
| 第五节 本章小结 | 第91-92页 |
| 第五章 基于CCAL方法和刻蚀技术构筑多种纳米环结构阵列 | 第92-107页 |
| 第一节 引言 | 第92-93页 |
| 第二节 实验部分 | 第93-95页 |
| ·实验材料 | 第93-94页 |
| ·湿法刻蚀 | 第94页 |
| ·RIE刻蚀 | 第94页 |
| ·表征仪器 | 第94-95页 |
| 第三节 多种纳米环结构的制备 | 第95-106页 |
| ·聚合物纳米环结构的制备 | 第95-97页 |
| ·聚合物纳米环结构的几何尺寸调控 | 第97-99页 |
| ·四氧化三铁纳米环的制备 | 第99-100页 |
| ·Fe_3O_4纳米粒子/PS复合纳米环结构的制备 | 第100-102页 |
| ·硅纳米环阵列的制备 | 第102-104页 |
| ·金纳米环及Au/PS双层纳米环结构的制备 | 第104-106页 |
| 第四节 本章小结 | 第106-107页 |
| 参考文献 | 第107-123页 |
| 致谢 | 第123-124页 |
| 作者简历 | 第124页 |
| 攻读博士学位期间发表论文 | 第124-127页 |
| 中文摘要 | 第127-130页 |
| Abstract | 第130-133页 |
