| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-8页 |
| 第二章 文献综述 | 第8-15页 |
| ·量子阱激光器发展概况 | 第8-9页 |
| ·GaSb基锑化物半导体激光器研究进展 | 第9-10页 |
| ·影响锑化物激光器性能的工艺 | 第10-12页 |
| ·锑化物材料目前存在的问题 | 第12-13页 |
| ·GaAs基锑化物激光器材料 | 第13-15页 |
| 第三章 分子束外延(MBE)技术与设备 | 第15-24页 |
| ·分子束外延基本原理和优点 | 第15-19页 |
| ·MBE生长条件优化 | 第19-24页 |
| 第四章 利用缓冲层技术的锑化物材料生长研究 | 第24-35页 |
| ·外延材料的测试分析设备介绍 | 第24页 |
| ·RHEED在GaSb/GaAs生长的应用 | 第24-26页 |
| ·理论模拟GaSb发射谱 | 第26-27页 |
| ·GaSb/GaAs的光谱实验结果 | 第27-29页 |
| ·A1Sb低温缓冲层的研究 | 第29-33页 |
| ·小结 | 第33-35页 |
| 第五章 Al GaAsSb/InGaAsSb的MBE生长及制备 | 第35-39页 |
| ·A1GaAsSb/InGaAsSb量子阱激光器的设计 | 第35-36页 |
| ·A1GaAsSb/InGaAsSb量子阱激光器的制备 | 第36-39页 |
| 第六章 结论 | 第39-40页 |
| 致谢 | 第40-41页 |
| 参考文献 | 第41-42页 |
