摘要 | 第1-4页 |
Abstract | 第4-7页 |
1 绪论 | 第7-17页 |
前言 | 第7-8页 |
·二氧化钛薄膜的结构、性质及研究进展 | 第8-13页 |
·薄膜的制备方法 | 第13-15页 |
·溶胶-凝胶法 | 第13页 |
·磁控溅射法 | 第13-14页 |
·化学气相沉积法 | 第14页 |
·丝网印刷法 | 第14-15页 |
·水热结晶法 | 第15页 |
·本文研究的主要内容 | 第15-17页 |
2 射频磁控溅射制备薄膜原理及工艺 | 第17-26页 |
·磁控溅射原理 | 第17-18页 |
·本实验所用设备简介 | 第18-21页 |
·制备工艺及实施方案 | 第21-22页 |
·磁控溅射真空环境的实现 | 第21页 |
·工艺流程和实施方案 | 第21-22页 |
·薄膜的表征和分析 | 第22-24页 |
·拉曼光谱(Raman) | 第23页 |
·紫外-可见光谱(UV-Vis) | 第23页 |
·X-射线衍射仪(XRD) | 第23-24页 |
·原子力显微镜(AFM) | 第24页 |
·扫描电子显微镜(SEM) | 第24页 |
·光化学反应仪 | 第24页 |
·试剂与仪器 | 第24-26页 |
3 射频磁控溅射工艺参数对TiO_2薄膜结构和性质的影响 | 第26-48页 |
·不同靶材对薄膜结构的影响 | 第26-28页 |
·薄膜的制备 | 第26页 |
·薄膜的Raman光谱分析 | 第26-27页 |
·薄膜的SEM分析 | 第27-28页 |
·不同基体对薄膜结构的影响 | 第28-32页 |
·薄膜的制备 | 第28页 |
·薄膜的Raman光谱分析 | 第28-30页 |
·薄膜的XRD分析 | 第30-32页 |
·后期退火温度对薄膜结构的影响 | 第32-39页 |
·薄膜的制备 | 第32页 |
·薄膜的Raman光谱分析 | 第32-34页 |
·薄膜的XRD分析 | 第34-37页 |
·薄膜的AFM分析 | 第37-39页 |
·溅射压强对薄膜结构的影响 | 第39-44页 |
·玻璃基体 | 第39-41页 |
·石英基体 | 第41-44页 |
·不同溅射功率对薄膜结构的影响 | 第44-46页 |
·薄膜的制备 | 第44页 |
·薄膜的Raman光谱分析 | 第44-45页 |
·薄膜的XRD分析 | 第45-46页 |
·本章小结 | 第46-48页 |
4 二氧化钛薄膜光学性质 | 第48-51页 |
·不同溅射压强的TiO_2薄膜光学性质 | 第48-49页 |
·不同退火温度下TiO_2薄膜光学性质 | 第49-50页 |
·本章小结 | 第50-51页 |
5 二氧化钛薄膜光催化性质 | 第51-58页 |
·不同光源对甲基橙溶液脱色效果的影响 | 第51-52页 |
·TiO_2薄膜添加量对甲基橙溶液脱色效果的影响 | 第52-53页 |
·甲基橙溶液初始浓度对脱色效果的影响 | 第53页 |
·甲基橙溶液不同初始pH值对脱色效果的影响 | 第53-54页 |
·不同基底对脱色效果的影响 | 第54-55页 |
·不同退火温度对脱色效果的影响 | 第55-56页 |
·本章小结 | 第56-58页 |
全文结论 | 第58-59页 |
致谢 | 第59-60页 |
参考文献 | 第60-64页 |