| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 液膜分离技术概述 | 第9-13页 |
| 1.1.1 研究的背景及意义 | 第9-10页 |
| 1.1.2 液膜研究的进展 | 第10页 |
| 1.1.3 液膜的分类 | 第10-13页 |
| 1.2 支撑液膜的基本原理 | 第13-15页 |
| 1.3 分子印迹技术的概述 | 第15-17页 |
| 1.3.1 分子印迹技术的发展 | 第15-16页 |
| 1.3.2 分子印迹膜的制备方法 | 第16-17页 |
| 1.4 本文研究的主要内容 | 第17-19页 |
| 2 Cu(Ⅱ)在支撑液膜体系中的传输过程 | 第19-29页 |
| 2.1 前言 | 第19页 |
| 2.2 实验部分 | 第19-23页 |
| 2.2.1 主要试剂及仪器 | 第19-20页 |
| 2.2.2 实验步骤 | 第20-21页 |
| 2.2.3 分析方法 | 第21-23页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第23-26页 |
| 2.3.1 Cu(Ⅱ)起始浓度的影响 | 第23-24页 |
| 2.3.2 迁移时间的影响 | 第24页 |
| 2.3.3 载体浓度的影响 | 第24-25页 |
| 2.3.4 料液相pH的影响 | 第25-26页 |
| 2.4 传输机理及渗透系数方程的建立 | 第26-28页 |
| 2.5 本章小结 | 第28-29页 |
| 3 响应曲面法优化Cu(Ⅱ)在支撑液膜中的传质过程 | 第29-37页 |
| 3.1 前言 | 第29页 |
| 3.2 实验部分 | 第29-31页 |
| 3.2.1 因素编码及水平 | 第29-30页 |
| 3.2.2 实验设计及结果 | 第30-31页 |
| 3.2.3 实验步骤 | 第31页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第31-36页 |
| 3.3.1 响应曲面优化的方差分析 | 第31-33页 |
| 3.3.2 各因素对Cu(Ⅱ)迁移率的影响 | 第33-35页 |
| 3.3.3 扰动曲线及模型准确性分析 | 第35页 |
| 3.3.4 响应曲面模型的优化 | 第35-36页 |
| 3.4 本章小结 | 第36-37页 |
| 4 Cu(Ⅱ)分子印迹支撑膜的制备及性能研究 | 第37-53页 |
| 4.1 前言 | 第37页 |
| 4.2 实验部分 | 第37-42页 |
| 4.2.1 主要试剂 | 第37-38页 |
| 4.2.2 主要仪器 | 第38页 |
| 4.2.3 实验原理 | 第38-39页 |
| 4.2.4 表面印迹过程原理 | 第39-40页 |
| 4.2.5 Cu(Ⅱ)分子印迹支撑膜的制备 | 第40页 |
| 4.2.6 Cu(Ⅱ)分子印迹支撑膜的结构和性能测定 | 第40-41页 |
| 4.2.7 Cu(II)分子印迹支撑膜的吸附性实验 | 第41页 |
| 4.2.8 Cu(II)分子印迹支撑膜的选择性实验 | 第41页 |
| 4.2.9 Cu(Ⅱ)分子印迹支撑膜渗透系数确定 | 第41-42页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第42-51页 |
| 4.3.1 SEM分析 | 第42-43页 |
| 4.3.2 EDS分析 | 第43-44页 |
| 4.3.3 XPS分析 | 第44-45页 |
| 4.3.4 FT-IR分析 | 第45-46页 |
| 4.3.5 Cu(Ⅱ)分子印迹支撑膜的热稳定性 | 第46页 |
| 4.3.6 Cu(Ⅱ)分子印迹支撑膜的疏水性分析 | 第46-48页 |
| 4.3.7 Cu(Ⅱ)分子印迹支撑膜的选择性分析 | 第48页 |
| 4.3.8 Cu(Ⅱ)分子印迹膜的吸附性 | 第48-49页 |
| 4.3.9 分子印迹支撑液膜中Cu(Ⅱ)渗透性分析 | 第49-50页 |
| 4.3.10 Cu(Ⅱ)分子印迹膜的重复利用率 | 第50页 |
| 4.3.11 Cu(Ⅱ)分子印迹膜的抗污染性 | 第50-51页 |
| 4.4 本章小结 | 第51-53页 |
| 5 结论 | 第53-55页 |
| 致谢 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-65页 |
| 附录 | 第65页 |
