| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-22页 |
| 1.1 二维材料 | 第9-12页 |
| 1.1.1 石墨烯 | 第9-10页 |
| 1.1.2 范德华异质结构 | 第10-12页 |
| 1.2 二维单层TaS_2材料 | 第12-14页 |
| 1.3 金属原子掺杂过渡金属硫化物 | 第14-19页 |
| 1.3.1 Mn原子掺杂的WSe | 第15-16页 |
| 1.3.2 过渡金属掺杂的MoS | 第16-19页 |
| 1.4 谷电子学 | 第19-20页 |
| 1.4.1 二维材料中的谷 | 第19页 |
| 1.4.2 谷霍尔效应 | 第19-20页 |
| 1.5 本论文的研究意义和主要研究内容 | 第20-22页 |
| 1.5.1 研究意义 | 第20-21页 |
| 1.5.2 主要研究内容 | 第21-22页 |
| 第二章 计算方法及原理 | 第22-26页 |
| 2.1 第一性原理的介绍及应用 | 第22-23页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第23-24页 |
| 2.3 广义梯度近似 | 第24页 |
| 2.4 高对称点的选取 | 第24-26页 |
| 第三章 过渡金属掺杂单层1T-TaS_2的电子结构 | 第26-34页 |
| 3.1 原子模型和计算方法 | 第26-28页 |
| 3.1.1 原子模型 | 第26页 |
| 3.1.2 计算方法和细节 | 第26-28页 |
| 3.2 结果与讨论 | 第28-32页 |
| 3.3 本章小结 | 第32-34页 |
| 第四章 TaS_2/TaSe_2和TaSe_2/TaTe_2异质结构的电子结构 | 第34-42页 |
| 4.1 原子模型和计算方法 | 第34-35页 |
| 4.1.1 原子模型 | 第34-35页 |
| 4.1.2 计算方法和细节 | 第35页 |
| 4.2 结果与讨论 | 第35-40页 |
| 4.3 本章小结 | 第40-42页 |
| 第五章 MnO/TX_2(T:Mo,W;X:S,Se)异质结构的电子结构 | 第42-51页 |
| 5.1 原子模型和计算方法 | 第42-45页 |
| 5.1.1 原子模型 | 第42-43页 |
| 5.1.2 计算方法和细节 | 第43-45页 |
| 5.2 结果与讨论 | 第45-50页 |
| 5.3 本章小结 | 第50-51页 |
| 第六章 结论和展望 | 第51-53页 |
| 6.1 主要结论 | 第51页 |
| 6.2 后续研究工作的展望 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-58页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59页 |
