| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·光催化氧化技术研究简介 | 第10-12页 |
| ·光催化技术的特点 | 第10-11页 |
| ·光催化反应机理 | 第11-12页 |
| ·光催化反应的影响因素 | 第12-13页 |
| ·半导体材料 | 第12-13页 |
| ·pH值 | 第13页 |
| ·反应温度 | 第13页 |
| ·附加氧化剂 | 第13页 |
| ·其它条件 | 第13页 |
| ·半导体光催化剂改性途径 | 第13-17页 |
| ·沉积贵金属 | 第14页 |
| ·金属离子掺杂 | 第14-15页 |
| ·非金属掺杂 | 第15页 |
| ·表面光敏化 | 第15-16页 |
| ·复合半导体 | 第16-17页 |
| ·复合半导体的制备方法 | 第17-18页 |
| ·电沉积Sn-Cu合金 | 第18-19页 |
| ·本文的主要工作 | 第19-20页 |
| 第二章 实验 | 第20-25页 |
| ·试剂 | 第20页 |
| ·实验设备和仪器 | 第20页 |
| ·电沉积实验 | 第20-21页 |
| ·基底预处理 | 第20-21页 |
| ·多孔锡铜合金薄膜 | 第21页 |
| ·SnO_2-Cu_2O复合薄膜的制备 | 第21页 |
| ·光催化实验 | 第21-22页 |
| ·薄膜形貌和结构分析 | 第22-25页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第22-23页 |
| ·能量失散X射线谱(EDS) | 第23页 |
| ·X-射线衍射(XRD) | 第23-25页 |
| 第三章 多孔Sn-Cu合金薄膜的制备 | 第25-37页 |
| ·引言 | 第25页 |
| ·结果与讨论 | 第25-35页 |
| ·多孔Sn薄膜的电化学制备 | 第25-31页 |
| ·电流密度的影响 | 第25-27页 |
| ·沉积时间的影响 | 第27页 |
| ·镀液温度的影响 | 第27-28页 |
| ·添加剂的影响 | 第28-29页 |
| ·多孔与平滑金属薄膜的比较 | 第29-31页 |
| ·多孔Sn-Cu薄膜的电化学制备 | 第31-35页 |
| ·镀液成分对合金薄膜形貌结构的影响 | 第31-33页 |
| ·电流密度对合金薄膜形貌结构的影响 | 第33-35页 |
| ·本章小结 | 第35-37页 |
| 第四章 多孔SnO_2-Cu_2O复合薄膜的制备 | 第37-43页 |
| ·引言 | 第37页 |
| ·结果与讨论 | 第37-42页 |
| ·合金成分的影响 | 第37-39页 |
| ·氧化温度的影响 | 第39-41页 |
| ·氧化时间的影响 | 第41-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 第五章 多孔SnO_2-Cu_2O复合薄膜的光催化性能 | 第43-51页 |
| ·引言 | 第43页 |
| ·结果与讨论 | 第43-50页 |
| ·多孔SnO_2-Cu_2O复合薄膜的光催化性能 | 第43-46页 |
| ·组成对薄膜光催化性能的影响 | 第46-47页 |
| ·氧化条件对薄膜光催化性能的影响 | 第47-49页 |
| ·沉积电流密度对薄膜光催化性能的影响 | 第49页 |
| ·SnO_2-Cu_2O复合薄膜寿命测试及可见光响应性能 | 第49-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第六章 SnO_2-Cu_2O复合薄膜光催化过程的初步研究 | 第51-57页 |
| ·引言 | 第51页 |
| ·结果与讨论 | 第51-56页 |
| ·SnO_2-Cu_2O光催化机理初步分析 | 第51-53页 |
| ·SnO_2-Cu_2O光催化反应动力学初步研究 | 第53-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 第七章 总结与展望 | 第57-59页 |
| ·总结 | 第57-58页 |
| ·展望 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 攻读学位期间取得的研究成果 | 第70-71页 |
