电子级四氯化硅的模拟精馏及节能工艺分析
摘要 | 第4-6页 |
ABSTRACT | 第6-8页 |
符号说明 | 第16-18页 |
第一章 文献综述 | 第18-34页 |
1.1 课题背景 | 第18-19页 |
1.2 高纯四氯化硅精制工艺 | 第19-21页 |
1.2.1 精馏法 | 第19-20页 |
1.2.2 吸附法 | 第20页 |
1.2.3 光化反应法 | 第20-21页 |
1.2.4 部分水解法 | 第21页 |
1.3 化工流程模拟 | 第21-25页 |
1.3.1 流程模拟优化简介 | 第21-22页 |
1.3.2 稳态模拟软件介绍 | 第22-23页 |
1.3.3 动态模拟软件介绍 | 第23-25页 |
1.4 物性方法 | 第25-28页 |
1.4.1 常用热力学方法 | 第25-27页 |
1.4.2 物性方法的选择 | 第27-28页 |
1.5 精馏节能技术 | 第28-31页 |
1.5.1 热泵精馏 | 第29-30页 |
1.5.2 多效精馏 | 第30-31页 |
1.5.3 热偶精馏 | 第31页 |
1.6 课题研究内容和意义 | 第31-34页 |
第二章 热力学方法的选择 | 第34-46页 |
2.1 进料物系分析 | 第34-35页 |
2.2 热力学一致性检验 | 第35-41页 |
2.2.1 检验原理 | 第36-38页 |
2.2.2 饱和蒸气压 | 第38-39页 |
2.2.3 四氯化硅-三氯氢硅物系数据检验 | 第39-41页 |
2.3 物性方法的选择 | 第41-44页 |
2.4 本章小结 | 第44-46页 |
第三章 四氯化硅精馏流程模拟优化及工艺对比 | 第46-88页 |
3.1 四氯化硅精馏过程模拟优化 | 第46-52页 |
3.1.1 工艺流程搭建和精馏任务要求 | 第46-47页 |
3.1.2 DSTWU工艺流程简捷计算 | 第47-50页 |
3.1.3 RADFRAC工艺流程严格计算 | 第50-52页 |
3.2 RADFRAC模拟优化精馏一塔 | 第52-60页 |
3.2.1 塔板数的优化 | 第52-54页 |
3.2.2 进料位置的优化 | 第54-55页 |
3.2.3 回流比的优化 | 第55-57页 |
3.2.4 采出比的优化 | 第57-58页 |
3.2.5 正交试验设计 | 第58-60页 |
3.3 RADFRAC模拟优化精馏二塔 | 第60-67页 |
3.3.1 塔板数的优化 | 第60-61页 |
3.3.2 进料位置的优化 | 第61-63页 |
3.3.3 回流比的分析 | 第63-64页 |
3.3.4 采出比的分析 | 第64-65页 |
3.3.5 正交试验设计 | 第65-67页 |
3.4 RADFRAC模拟优化精馏三塔 | 第67-75页 |
3.4.1 塔板数的优化 | 第67-69页 |
3.4.2 进料位置的优化 | 第69-70页 |
3.4.3 回流比的优化 | 第70-72页 |
3.4.4 采出比的优化 | 第72-73页 |
3.4.5 正交试验设计 | 第73-75页 |
3.5 RADFRAC模拟优化精馏四塔 | 第75-84页 |
3.5.1 塔板数的优化 | 第75-77页 |
3.5.2 进料位置的优化 | 第77-79页 |
3.5.3 回流比的优化 | 第79-80页 |
3.5.4 采出比的优化 | 第80-82页 |
3.5.5 正交试验设计 | 第82-84页 |
3.6 小结 | 第84-88页 |
第四章 节能工艺及经济效益分析 | 第88-100页 |
4.1 能耗公式推导 | 第88-89页 |
4.2 精馏分离序列的确定 | 第89-90页 |
4.3 操作压力的优化 | 第90页 |
4.4 热泵精馏节能工艺方案 | 第90-95页 |
4.4.1 热泵精馏方案确定 | 第91-92页 |
4.4.2 供热方式的确定 | 第92页 |
4.4.3 热泵精馏工艺参数优化 | 第92-93页 |
4.4.4 热泵精馏工艺流程 | 第93-95页 |
4.5 热泵精馏经济效益分析 | 第95-99页 |
4.5.1 能耗分析 | 第95-96页 |
4.5.2 公用工程消耗分析 | 第96-97页 |
4.5.3 设备费用分析 | 第97-99页 |
4.6 小结 | 第99-100页 |
第五章 四氯化硅精馏流程动态控制 | 第100-130页 |
5.1 动态控制模拟 | 第100-101页 |
5.2 动态数学模型的建立 | 第101-106页 |
5.2.1 精馏设备数学模型 | 第103-105页 |
5.2.2 控制器数学模型 | 第105-106页 |
5.3 动态模拟的构建 | 第106-111页 |
5.3.1 灵敏板位置分析 | 第106-109页 |
5.3.2 设备尺寸的确定 | 第109-110页 |
5.3.3 动态模拟初始化 | 第110-111页 |
5.4 控制方案设计与分析 | 第111-112页 |
5.4.1 基本控制器 | 第111-112页 |
5.4.2 控制结构选择 | 第112页 |
5.5 单塔动态控制方案选择 | 第112-128页 |
5.5.1 T1塔动态控制及分析 | 第112-117页 |
5.5.2 T2塔动态控制及分析 | 第117-120页 |
5.5.3 T3塔动态控制及分析 | 第120-125页 |
5.5.4 T4塔动态控制及分析 | 第125-128页 |
5.6 小结 | 第128-130页 |
第六章 结论 | 第130-132页 |
参考文献 | 第132-136页 |
致谢 | 第136-138页 |
研究成果及发表的学术论文 | 第138-140页 |
作者和导师简介 | 第140-142页 |
附件 | 第142-143页 |