| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-24页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 纳米材料的定义和分类 | 第12-14页 |
| 1.3 纳米材料的基本特性 | 第14-15页 |
| 1.4 二维层状材料 | 第15-18页 |
| 1.4.1 过渡金属硫族化合物 | 第16页 |
| 1.4.2 二维层状材料的常用制备方法 | 第16-18页 |
| 1.5 带隙调控的概念及单基片带隙调控 | 第18-19页 |
| 1.6 GaTe和GaS的结构及应用 | 第19-20页 |
| 1.6.1 GaTe的结构及应用 | 第19-20页 |
| 1.6.2 GaS的结构及应用 | 第20页 |
| 1.7 本论文的主要研究目的、意义和研究内容 | 第20-24页 |
| 1.7.1 研究的目的和意义 | 第20-21页 |
| 1.7.2 研究内容 | 第21-24页 |
| 第二章 组分可调的GaS_xTe_(1-x)单基片带隙调控 | 第24-34页 |
| 2.1 引言 | 第24-25页 |
| 2.2 实验过程 | 第25-27页 |
| 2.2.1 实验耗材与设备 | 第25页 |
| 2.2.2 实验方法 | 第25-26页 |
| 2.2.3 GaS_xTe_(1-x)合金纳米片的制备 | 第26-27页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第27-31页 |
| 2.3.1 GaS_xTe_(1-x)合金纳米片的表征 | 第27-28页 |
| 2.3.2 GaS_xTe_(1-x)合金纳米片的拉曼表征 | 第28-29页 |
| 2.3.3 GaS_xTe_(1-x)合金纳米片的光致发光表征 | 第29-31页 |
| 2.4 本章小结 | 第31-34页 |
| 第三章 GaS纳米片厚度依赖的边界增强拉曼散射 | 第34-47页 |
| 3.1 引言 | 第34-35页 |
| 3.2 实验过程 | 第35页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第35-45页 |
| 3.3.1 厚度依赖的边缘增强拉曼 | 第35-38页 |
| 3.3.2 偏振拉曼 | 第38-45页 |
| 3.4 本章小结 | 第45-47页 |
| 第四章 基于厚度不同的GaS纳米片器件的光电流测试 | 第47-53页 |
| 4.1 引言 | 第47页 |
| 4.2 实验过程 | 第47页 |
| 4.2.1 基于GaS纳米片两端器件的构筑 | 第47页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第47-51页 |
| 4.4 本章小结 | 第51-53页 |
| 第五章 结论与展望 | 第53-55页 |
| 5.1 结论 | 第53-54页 |
| 5.2 展望 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-65页 |
| 致谢 | 第65-67页 |
| 附录A 攻读硕士学位期间发表或已投出论文 | 第67页 |
| 附录B 攻读硕士学位期间获得奖励 | 第67-68页 |
