| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-23页 |
| ·立题背景 | 第9-10页 |
| ·多孔硅的概述 | 第10-14页 |
| ·多孔硅的发展历程 | 第11-12页 |
| ·多孔硅的应用前景 | 第12-13页 |
| ·多孔硅的分类 | 第13-14页 |
| ·多孔硅的形成机理和制备的研究 | 第14-21页 |
| ·多孔硅的形成机理 | 第14-17页 |
| ·多孔硅的制备方法 | 第17-21页 |
| ·本文研究的主要目的及内容 | 第21-23页 |
| 2 实验设备及工艺参数 | 第23-28页 |
| ·实验设备 | 第23-25页 |
| ·多孔硅参数的研究 | 第25-26页 |
| ·多孔硅的孔隙率 | 第25-26页 |
| ·多孔硅层的深度 | 第26页 |
| ·热处理 | 第26-28页 |
| ·低温热处理过程 | 第26-27页 |
| ·高温热处理过程 | 第27-28页 |
| 3 制备工艺对多孔硅影响的研究 | 第28-42页 |
| ·晶体硅表面制备多孔硅 | 第28-34页 |
| ·多晶硅表面制作多孔硅后的形貌 | 第28-31页 |
| ·单晶硅表面制作多孔硅后的形貌 | 第31-34页 |
| ·晶体硅制作多孔硅后孔隙率的研究 | 第34-35页 |
| ·多晶硅及单晶硅腐蚀形貌的比较 | 第35页 |
| ·腐蚀溶液浓度比对多孔硅制备的影响 | 第35-41页 |
| ·改变酸溶液浓度比后表面制作多孔硅的形貌 | 第36-38页 |
| ·改变酸溶液浓度比后表面制作多孔硅的孔隙率和深度 | 第38-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 4 多孔硅的制作对晶体硅性能影响的研究 | 第42-54页 |
| ·概述 | 第42-43页 |
| ·晶体硅中的电阻率和少子寿命的介绍 | 第43-45页 |
| ·晶体硅的电阻率 | 第43页 |
| ·少数载流子寿命 | 第43-45页 |
| ·影响少数载流子寿命的因素 | 第45页 |
| ·实验机理及步骤 | 第45-49页 |
| ·实验机理 | 第45-46页 |
| ·实验步骤 | 第46-49页 |
| ·实验结果与分析 | 第49-53页 |
| ·按照HF和HNO_3浓度比为0.3腐蚀后电阻率的分析 | 第49页 |
| ·按照HF和HNO_3浓度比为0.3腐蚀后少子寿命的分析 | 第49-51页 |
| ·改变HF和HNO_3溶液浓度比后腐蚀11min的电阻率情况 | 第51页 |
| ·改变HF和HNO_3溶液浓度比后腐蚀14min的电阻率情况 | 第51-52页 |
| ·分析与讨论 | 第52-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 5 展望 | 第54-55页 |
| 结论 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-64页 |
