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有机界面层和纳米结构对有机—硅异质结太阳能电池的光伏性能研究

中文摘要第4-6页
abstract第6-7页
第一章 绪论第10-32页
    1.1 引言第10-11页
    1.2 太阳能电池基础第11-16页
        1.2.1 太阳能与太阳能光谱第11-12页
        1.2.2 硅基太阳能电池的基本工作原理和主要性能参数第12-13页
        1.2.3 太阳能电池的主要性能参数第13-16页
    1.3 硅基太阳能电池的发展概况第16-19页
        1.3.1 晶体硅太阳能电池第16-17页
        1.3.2 硅基类薄膜太阳能电池第17-18页
        1.3.3 新型硅基异质结太阳能电池第18-19页
    1.4 金属辅助刻蚀的硅纳米结构第19-23页
        1.4.1 金属辅助刻蚀的反应机理第20-21页
        1.4.2 硅纳米结构的形貌控制第21-23页
    1.5 本课题研究意义及内容第23-24页
    参考文献第24-32页
第二章 硅倒金字塔结构刻蚀第32-48页
    2.1 引言第32-33页
    2.2 实验部分第33-37页
        2.2.1 实验试剂和仪器第33-35页
        2.2.2 器件的制备和表征第35-37页
    2.3 铜离子辅助刻蚀原理第37-38页
    2.4 结果与讨论第38-44页
        2.4.1 刻蚀液中铜离子浓度对硅表面刻蚀的影响第38-39页
        2.4.2 温度对铜离子辅助刻蚀的影响第39-40页
        2.4.3 2,2'-联吡啶对铜离子倒金字塔结构刻蚀的影响第40-42页
        2.4.4 倒金字塔结构在有机硅太阳能电池中的应用第42-44页
    2.5 总结第44页
    参考文献第44-48页
第三章 高透过率PEDOT:PSS对硅异质结太阳能电池的影响研究第48-62页
    3.1 引言第48-49页
    3.2 实验部分第49-51页
        3.2.1 实验试剂和仪器第49-50页
        3.2.2 器件的制备和相关表征第50-51页
    3.3 实验结果分析与讨论第51-57页
        3.3.1 FCE与PH1000薄膜的性能分析与比较第51-54页
        3.3.2 FCE和PH1000的平面器件性能分析第54-56页
        3.3.3 FCE和PH1000的在埋栅式器件中的性能分析第56-57页
    3.4 本章总结第57-58页
    参考文献第58-62页
第四章 萘酰亚胺类共聚物作为背场材料对硅异质结太阳能电池的影响研究第62-79页
    4.1 引言第62-63页
    4.2 实验部分第63-65页
        4.2.1 实验试剂和仪器第63-64页
        4.2.2 器件制备及表征第64-65页
    4.3 实验结果与讨论分析第65-75页
        4.3.1 N2200中噻吩环上氟原子的取代对聚合物的影响第65-68页
        4.3.2 N2200和F-N2200与硅表面的距离对器件性能的影响探究第68-71页
        4.3.3 N2200和F-N2200做背场材料对太阳能电池器件性能的影响第71-75页
    4.4 本章总结第75页
    参考文献第75-79页
总结和展望第79-82页
攻读学位期间本人出版或公开发表的论著、论文第82-83页
致谢第83-84页

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