| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 引言 | 第8-15页 |
| 1.1 半导体激光器的外腔结构 | 第8-9页 |
| 1.2 半导体激光器的外腔调谐原理 | 第9-13页 |
| 1.2.1 Fabry-Perot 腔半导体激光器的原理 | 第9-11页 |
| 1.2.2 半导体激光器的外腔调谐原理 | 第11-13页 |
| 1.3 闪耀光栅的原理 | 第13-14页 |
| 1.4 本章小结 | 第14-15页 |
| 第二章 基于 DMD 的外腔激光器的设计方案 | 第15-23页 |
| 2.1 基于 DMD 的外腔激光器的设计方案 | 第15页 |
| 2.2 基于 DMD 的外腔激光器装置 | 第15-19页 |
| 2.2.1 InAs/GaAs 量子点外腔激光器 | 第16-17页 |
| 2.2.2 聚焦透镜装置 | 第17页 |
| 2.2.3 DMD 装置 | 第17-19页 |
| 2.3 部件的选择 | 第19-22页 |
| 2.3.1 加工材料的选择 | 第19页 |
| 2.3.2 准直透镜的选择 | 第19-20页 |
| 2.3.3 光栅参数的选择 | 第20-22页 |
| 2.3.4 聚焦透镜的选择 | 第22页 |
| 2.4 本章小结 | 第22-23页 |
| 第三章 DMD 的结构和原理及选模过程 | 第23-29页 |
| 3.1 DMD 芯片的结构 | 第23页 |
| 3.2 DMD 芯片的原理 | 第23-27页 |
| 3.2.1 DMD 微镜片反光原理 | 第23-24页 |
| 3.2.2 DMD 可以分辨的波长间隔 | 第24-26页 |
| 3.2.3 单个内腔模式所占的狭缝宽度 | 第26-27页 |
| 3.3 DMD 的选模过程 | 第27-28页 |
| 3.4 本章小结 | 第28-29页 |
| 第四章 基于 DMD 的 InAs/GaAs 量子点外腔激光器性能测试 | 第29-43页 |
| 4.1 InAs/GaAs 量子点激光器器件 | 第29页 |
| 4.2 基于狭缝的 InAs/GaAs 量子点外腔激光器性能测试 | 第29-33页 |
| 4.2.1 狭缝的选择 | 第29-31页 |
| 4.2.2 基于狭缝 1023 的 InAs/GaAs 量子点外腔激光器的阈值电流 | 第31-32页 |
| 4.2.3 基于狭缝 1023 的 InAs/GaAs 量子点外腔激光器的单模稳定性 | 第32-33页 |
| 4.3 基于 flower3-3 的 InAs/GaAs 量子点外腔激光器性能测试 | 第33-41页 |
| 4.3.1 选择图形 flower3-3 进行量子点外腔激光器性能测试 | 第33-37页 |
| 4.3.2 基于图形 flower3-3 的量子点外腔激光器的阈值电流 | 第37-38页 |
| 4.3.3 基于图形 flower3-3 的量子点外腔激光器的单模稳定性 | 第38页 |
| 4.3.4 基于图形 flower3-3 的量子点外腔激光器的单模大范围调谐 | 第38-39页 |
| 4.3.5 基于图形 flower3-3 的量子点外腔激光器的单模连续调谐 | 第39-40页 |
| 4.3.6 基于图形 flower3-3 的量子点外腔激光器的单模输出功率 | 第40-41页 |
| 4.4 基于 DMD 的 InAs/GaAs 量子点外腔激光器 THz 的产生 | 第41-42页 |
| 4.5 本章小结 | 第42-43页 |
| 第五章 总结与展望 | 第43-45页 |
| 5.1 全文总结 | 第43页 |
| 5.2 量子点外腔激光器的发展趋势 | 第43-45页 |
| 参考文献 | 第45-48页 |
| 附录：狭缝翻转程序 | 第48-51页 |
| 在校期间发表的论文 | 第51-52页 |
| 致谢 | 第52页 |
