| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-22页 |
| 1.1 选题目的和意义 | 第9-10页 |
| 1.2 ZrB_2-SiC陶瓷连接技术研究进展 | 第10-14页 |
| 1.2.1 ZrB_2-SiC陶瓷的性质 | 第10-11页 |
| 1.2.2 ZrB_2-SiC陶瓷的连接 | 第11-13页 |
| 1.2.3 瞬时液相连接法 | 第13页 |
| 1.2.4 复合钎料法 | 第13页 |
| 1.2.5 中间层方法 | 第13-14页 |
| 1.3 沉积的原理及应用 | 第14-17页 |
| 1.3.1 电泳技术与原理 | 第14-16页 |
| 1.3.2 选择电泳沉积方法获得硼薄膜的原因 | 第16-17页 |
| 1.4 原位TiB晶须增强技术 | 第17-19页 |
| 1.4.1 Ti B的晶体结构 | 第17页 |
| 1.4.2 原位Ti B晶须增强技术研究现状 | 第17-19页 |
| 1.5 国内外文献综述的简析 | 第19-20页 |
| 1.6 本课题的主要研究内容 | 第20-22页 |
| 第2章 试验材料及方法 | 第22-27页 |
| 2.1 试验材料 | 第22-23页 |
| 2.1.1 ZrB_2-SiC的制备方法 | 第22页 |
| 2.1.2 电泳材料与母材 | 第22-23页 |
| 2.2 试验设备与工艺 | 第23-25页 |
| 2.2.1 电泳设备与工艺 | 第23页 |
| 2.2.2 焊接设备 | 第23-25页 |
| 2.3 材料表征及性能测试 | 第25-27页 |
| 2.3.1 材料表征方法 | 第25页 |
| 2.3.2 力学性能测试 | 第25-27页 |
| 第3章 ZrB_2-SiC陶瓷扩散连接接头中TiB晶须的原位设计 | 第27-47页 |
| 3.1 引言 | 第27页 |
| 3.2 ZrB_2-SiC陶瓷自身作硼源的Ti B晶须分布设计 | 第27-35页 |
| 3.2.1 界面处晶须分布研究 | 第27-30页 |
| 3.2.2 ZS/Ti/ZS扩散连接接头的典型界面组织 | 第30-31页 |
| 3.2.3 不同连接温度下接头的组织演化规律 | 第31-34页 |
| 3.2.4 其它参数对接头原位反应的影响 | 第34-35页 |
| 3.3 电泳辅助定向引入硼源的Ti B晶须分布设计 | 第35-45页 |
| 3.3.1 电泳工艺研究 | 第35-39页 |
| 3.3.2 层状Ti箔材料 | 第39-40页 |
| 3.3.3 ZS/Ti(B)/ZS接头固相反应的典型界面组织 | 第40-41页 |
| 3.3.4 连接温度对接头原位反应的影响 | 第41-44页 |
| 3.3.5 其它参数对原位反应的影响 | 第44-45页 |
| 3.4 本章小结 | 第45-47页 |
| 第4章 ZrB_2-SiC陶瓷与金属Nb的扩散连接 | 第47-56页 |
| 4.1 引言 | 第47页 |
| 4.2 ZS/Ti(B)/Nb扩散连接接头的典型界面组织 | 第47-49页 |
| 4.3 不同硼含量对接头组织结构的影响 | 第49-51页 |
| 4.4 连接温度对接头组织结构的影响 | 第51-54页 |
| 4.5 其它参数对接头组织结构的影响 | 第54-55页 |
| 4.6 本章小结 | 第55-56页 |
| 第5章 TiB原位增强ZrB_2-SiC扩散连接接头的力学性能 | 第56-67页 |
| 5.1 引言 | 第56页 |
| 5.2 TiB增强区的细观力学性能分析 | 第56-64页 |
| 5.2.1 ZS/ZS与ZS/Nb连接接头的应力场模拟 | 第56-62页 |
| 5.2.2 Ti B增强接头的纳米压痕和显微压痕测试 | 第62-64页 |
| 5.3 TiB增强Zr B2-SiC扩散连接接头的室温剪切强度 | 第64-66页 |
| 5.4 本章小结 | 第66-67页 |
| 结论 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-74页 |
| 攻读硕士学位期间所获得的科研成果 | 第74-76页 |
| 致谢 | 第76页 |
