| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第16-38页 |
| 1.1 课题背景及研究目的和意义 | 第16页 |
| 1.2 二维材料的研究进展 | 第16-27页 |
| 1.2.1 电子和光电子器件 | 第17-22页 |
| 1.2.2 电催化 | 第22-24页 |
| 1.2.3 太阳能电池 | 第24-26页 |
| 1.2.4 传感器 | 第26-27页 |
| 1.3 过渡金属二硫属化物二硒化钼 | 第27-35页 |
| 1.3.1 二硒化钼的概述 | 第27-28页 |
| 1.3.2 二硒化钼的研究进展 | 第28-35页 |
| 1.4 本文主要研究内容 | 第35-38页 |
| 1.4.1 目前存在的问题 | 第35-36页 |
| 1.4.2 主要研究内容 | 第36-38页 |
| 第2章 MoSe_2空心球有序结构阵列的制备及光响应增强机制 | 第38-57页 |
| 2.1 引言 | 第38-39页 |
| 2.2 MoSe_2空心球有序结构阵列的制备工艺 | 第39-42页 |
| 2.2.1 单分散SiO_2实心球的合成 | 第39页 |
| 2.2.2 SiO_2实心球有序结构阵列模板的自组装过程 | 第39页 |
| 2.2.3 MoSe_2空心球有序结构阵列的制备过程 | 第39-42页 |
| 2.3 MoSe_2空心球阵列的形貌表征结果 | 第42-44页 |
| 2.4 MoSe_2空心球阵列的晶型结构分析 | 第44-45页 |
| 2.5 MoSe_2空心球阵列的微观结构表征 | 第45-47页 |
| 2.6 MoSe_2空心球有序结构阵列对光探测器性能的影响 | 第47-48页 |
| 2.6.1 空心球有序结构阵列光探测器机制分析 | 第47-48页 |
| 2.6.2 紫外-可见吸收和反射光谱 | 第48页 |
| 2.7 MoSe_2空心球有序结构阵列的光探测器性能 | 第48-55页 |
| 2.7.1 器件制作过程 | 第48-49页 |
| 2.7.2 MoSe_2空心球阵列光探测器性能研究 | 第49-51页 |
| 2.7.3 MoSe_2空心球有序结构阵列与紧密堆积膜性能对比 | 第51-54页 |
| 2.7.4 MoSe_2空心球阵列柔性光探测器性能研究 | 第54-55页 |
| 2.8 本章小结 | 第55-57页 |
| 第3章 化学气相沉积方法生长MoS_2/MoSe_2和MoO_x/MoSe_2异质结及宽波段光电响应 | 第57-87页 |
| 3.1 引言 | 第57-58页 |
| 3.2 大面积嵌花式MoS_2/MoSe_2水平异质结的生长过程 | 第58-59页 |
| 3.3 MoO_x/MoSe_2垂直异质结的制备方法 | 第59-60页 |
| 3.4 嵌花式MoS_2/MoSe_2水平异质结的形貌和结构表征 | 第60-66页 |
| 3.4.1 MoS_2/MoSe_2异质结的光学、拉曼和PL光谱 | 第60-63页 |
| 3.4.2 MoS_2/MoSe_2异质结的厚度表征结果 | 第63-65页 |
| 3.4.3 MoS_2/MoSe_2异质结的微观结构分析 | 第65-66页 |
| 3.5 MoO_x/MoSe_2垂直异质结的形貌和结构表征 | 第66-72页 |
| 3.5.1 MoO_x/MoSe_2异质结的光学和SEM表征结果 | 第66-68页 |
| 3.5.2 MoO_x/MoSe_2异质结的XRD、拉曼和XPS光谱 | 第68-70页 |
| 3.5.3 MoO_x/MoSe_2异质结的厚度分析 | 第70页 |
| 3.5.4 MoO_x/MoSe_2异质结的微观结构表征 | 第70-72页 |
| 3.6 嵌花式MoS_2/MoSe_2水平异质结的光探测器性能 | 第72-81页 |
| 3.6.1 MoS_2/MoSe_2异质结与光探测器的关系研究 | 第72-73页 |
| 3.6.2 MoS_2/MoSe_2异质结光探测器性能 | 第73-81页 |
| 3.7 MoO_x/MoSe_2垂直异质结的光电性能研究 | 第81-86页 |
| 3.7.1 MoO_x/MoSe_2异质结器件的制作过程 | 第81页 |
| 3.7.2 MoO_x/MoSe_2器件的光电性能 | 第81-86页 |
| 3.8 本章小结 | 第86-87页 |
| 第4章 三维垂直MoS_2(1-x)Se_(2x)合金纳米片的制备及电催化析氢性能 | 第87-103页 |
| 4.1 引言 | 第87-88页 |
| 4.2 三维垂直MoS_2(1-x)Se_(2x)合金纳米片的制备和形貌结构表征 | 第88-95页 |
| 4.2.1 垂直MoS_2(1-x)Se_(2x)纳米片的生长方法 | 第88-89页 |
| 4.2.2 垂直MoS_2(1-x)Se_(2x)纳米片的形貌和成分分析 | 第89-91页 |
| 4.2.3 垂直MoS_2(1-x)Se_(2x)纳米片的形貌演绎过程 | 第91-93页 |
| 4.2.4 MoS_2(1-x)Se_(2x)合金纳米片的晶型结构表征 | 第93-95页 |
| 4.3 三维垂直MoS_2(1-x)Se_(2x)合金纳米片的电催化析氢机理研究 | 第95-98页 |
| 4.3.1 密度泛函理论计算氢吸附吉布斯自由能和硫硒空位形成能 | 第95-97页 |
| 4.3.2 垂直MoS_2(1-x)Se_(2x)合金提高电催化性能的原理分析 | 第97-98页 |
| 4.4 三维垂直MoS_2(1-x)Se_(2x)合金纳米片的电催化析氢性能 | 第98-101页 |
| 4.5 本章小结 | 第101-103页 |
| 第5章 核壳MoO_2/MoSe_2阵列和CoMoSe/MoSe_2异质结的制备及协同增强电催化析氢性能 | 第103-130页 |
| 5.1 引言 | 第103-104页 |
| 5.2 三维垂直核壳MoO_2/MoSe_2纳米片的实验设计 | 第104-105页 |
| 5.3 CoMoSe/MoSe_2水平垂直异质结纳米层的生长过程 | 第105-107页 |
| 5.4 三维垂直核壳MoO_2/MoSe_2纳米片的结构和形貌表征 | 第107-114页 |
| 5.4.1 垂直核壳MoO_2/MoSe_2纳米片的形貌表征结果 | 第107-110页 |
| 5.4.2 核壳MoO_2/MoSe_2纳米片的晶型结构分析 | 第110-112页 |
| 5.4.3 MoO_2/MoSe_2纳米片的核壳结构与组成分布 | 第112-114页 |
| 5.5 CoMoSe/MoSe_2水平垂直异质结的结构表征 | 第114-120页 |
| 5.5.1 CoMoSe/MoSe_2异质结的形貌和光谱表征结果 | 第114-117页 |
| 5.5.2 CoMoSe/MoSe_2异质结的厚度分析 | 第117-118页 |
| 5.5.3 CoMoSe/MoSe_2异质结的微观结构表征 | 第118-120页 |
| 5.6 三维垂直核壳MoO_2/MoSe_2纳米片的电催化析氢机制 | 第120-122页 |
| 5.6.1 核壳MoO_2/MoSe_2纳米片的缺陷结构 | 第120-121页 |
| 5.6.2 不同组成与垂直核壳微结构之间的协同作用 | 第121-122页 |
| 5.7 CoMoSe/MoSe_2水平垂直异质结的析氢机理分析 | 第122-123页 |
| 5.8 三维垂直核壳MoO_2/MoSe_2纳米片的电催化析氢性能 | 第123-126页 |
| 5.9 CoMoSe/MoSe_2异质结的电催化析氢性能研究 | 第126-128页 |
| 5.10 本章小结 | 第128-130页 |
| 结论 | 第130-133页 |
| 参考文献 | 第133-146页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文及其它成果 | 第146-150页 |
| 致谢 | 第150-152页 |
| 个人简历 | 第152页 |
